| 講演名 | 1998/12/10 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価 長谷 貴志, 松浦 秀治, |
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| 抄録(和) | 強誘電体を用いたFET型不揮発性メモリであるMFS構造で指摘されている問題点(強誘電体層に電荷が注入され、情報が消滅する点)を、高誘電率常誘電体層で電荷注入を防ぐことで解決するために、MDFDS構造を提案している。このMDFDS構造に用いる高誘電率絶縁膜としてBST(Ba_xSr_1-xTiO_3)誘電体材料を検討しているが、さらに高い絶縁性のBST薄膜を成膜する必要がある。そのため、漏れ電流に影響を及ぼすトラップを放電電流過渡分光(DCTS)法で評価した。そして、BST薄膜の放電電流からトラップを評価し、漏れ電流に影響するトラップ(トラップ準位約1.14eV)を見い出した。また、以前に報告されているDCTS法では考慮されていなかった、トラップの存在する位置によるDCTS信号の変化について検討した。 |
| 抄録(英) | In FET-type nonvolatile memories with MFS(metal-ferroelectric-semiconductor)structure, it is pointed out that data retention time becomes short due to charged carrier injection into the ferroelectric layer. In order to solve this problem, MDFDS(M-dielectric-F-dielectric-S)structure is proposed. In this strucure, two dielectric layers prevent the injection. In order to obtain high resistive BST(Ba_xSr_1-xTiO_3)layers with a high dielectric constant, the relationship between traps and a leakage current in the layer was investigated. The densities and energy levels of traps in BST were determined by DCTS(discharge current transient spectroscopy), and traps with the trap levels of around 1.14 eV were found to affect the leakage current. Moreover, the relationship between DCTS signals and the position of traps in the film was discussed, since it had not been discussed in the previous papers. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / 不揮発性メモリ / BST / トラップ / 漏れ電流 / 放電電流過渡分光法(DCTS) |
| キーワード(英) | ferroelectric / nonvolatile memory / BST / traps / leakage current / discharge current transient spectroscopy(DCTS) |
| 資料番号 | SDM98-180 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Determination of Trap Densities and Energy Levels in a Thin BST Film on Si by Discharge Current Transient Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | BST / BST |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / traps |
| キーワード(5)（和/英） | 漏れ電流 / leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | 放電電流過渡分光法(DCTS) / discharge current transient spectroscopy(DCTS) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長谷 貴志 / Takashi Hase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学工学部 Department of Electronics, Osaka Electro-Communication University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学工学部 Department of Electronics, Osaka Electro-Communication University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-180 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |