| 講演名 | 1998/12/10 HMDSO添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD 白藤 立, 宮崎 康雄, 林 康明, 西野 茂弘, |
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| 抄録(和) | テトラフロロエチレン(TFE, CF_2=CF_2)にヘキサメチルジシロキサン(HMDSO, (CH_3)_3-Si-O-Si-(CH_3)_3)を添加した混合ガスRF放電プラズマを用い, Si-Oを含有するアモルファス・フッ素化カーボン(a-C:F)膜を堆積し, その誘電率と耐熱性を調べた.誘電率はHMDSO添加率10%以下で2.5以下が得られた.耐熱性については, 膜を構成する化学結合の内, Si-O及びC-F_x結合が400℃までの耐熱性を有した.しかし, 膜中でネットワークの末端に存在するC-H_n結合が熱的に不安定であることが明らかになった. |
| 抄録(英) | Amorphous fluorinated carbon (a-C:F)films including Si-O components have been prepared from RF discharge plasma of tetrafluoroethylene(TFE, CF_2=CF_2)and hexamethyldisiloxane(HMDSO, (CH_3)_3-Si-O-Si-(CH_3)_3)gas mixture, and dielectric constant and thermal stability of the films have been investigated. Dielectric constant of the films has been revealed to be less than 2.5 for the HMDSO mixing ratio of 10%. Concerning thermal stability, Si-O and C-F_x bonds in the films have been found to be stable to 400℃. However, C-H_n bonds existing at the edge of atomic network in the films have been revealed to be thermally unstable. |
| キーワード(和) | ヘキサメチルジシロキサン / 低誘電率 / テトラフロロエチレン / プラズマ / 層間絶縁膜 / アモルファス / フッ素化カーボン |
| キーワード(英) | Hexamethyldisiloxane / Low Dielectric Constant / Tetrafluoroethyelene / Plasma / Inter-Layer Dielectric / Amorphous Fluorinated Carbon |
| 資料番号 | SDM98-179 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HMDSO添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasma CVD of Low-Dielectric Constant Insulator Films Using Fluorocarbon Gas with HMDSO |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘキサメチルジシロキサン / Hexamethyldisiloxane |
| キーワード(2)（和/英） | 低誘電率 / Low Dielectric Constant |
| キーワード(3)（和/英） | テトラフロロエチレン / Tetrafluoroethyelene |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ / Plasma |
| キーワード(5)（和/英） | 層間絶縁膜 / Inter-Layer Dielectric |
| キーワード(6)（和/英） | アモルファス / Amorphous Fluorinated Carbon |
| キーワード(7)（和/英） | フッ素化カーボン |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白藤 立 / Tatsuru SHIRAFUJI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮崎 康雄 / Yasuo MIYAZAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林 康明 / Yasuaki HAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西野 茂弘 / Shigehiro NISHINO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronicsand Information Science Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-179 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |