講演名 1998/12/10
Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング
田中 篤嗣, 井上 翼, 藤井 稔, 林 真至, 山本 恵一,
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抄録(和) Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜(~8nm)の直流電気伝導を測定した。埋め込んだナノ結晶のサイズは2nm以下である。測定の結果、室温においてクーロンブロッケードを観測した。低温では約250mV周期のクーロンステアケースを観測した。モンテカルロシミュレーションによるフィッティングの結果、電流は数個のナノ結晶を流れていることが考えられる。
抄録(英) Electrical transport properties of extremely thin SiO_2 films(~8nm)containing Si nanocrystals smaller than 2nm in diameter were studied. Coulomb staircases with a step width of about 250mV were observed at low temperatures. Although the Coulomb staircases were smeared out at room temperature, Coulomb blockade was observed even at room temperature.
キーワード(和) Siナノ結晶 / 単一電子トンネリング / クーロンステアケース / 同時スパッタリング
キーワード(英) Si nanocrystals / single electron tunneling Coulomb staircase / cosputtering
資料番号 SDM98-178
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 1998/12/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング
サブタイトル(和)
タイトル(英) Single electron tunneling of SiO_2 films containing Si nanocrystals
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Siナノ結晶 / Si nanocrystals
キーワード(2)(和/英) 単一電子トンネリング / single electron tunneling Coulomb staircase
キーワード(3)(和/英) クーロンステアケース / cosputtering
キーワード(4)(和/英) 同時スパッタリング
第 1 著者 氏名(和/英) 田中 篤嗣 / A Tanaka
第 1 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院自然科学研究科
The Graduate School of Science and Technology, Kobe University
第 2 著者 氏名(和/英) 井上 翼 / T Inoue
第 2 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院自然科学研究科
The Graduate School of Science and Technology, Kobe University
第 3 著者 氏名(和/英) 藤井 稔 / M Fujii
第 3 著者 所属(和/英) 神戸大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Kobe University
第 4 著者 氏名(和/英) 林 真至 / S Hayashi
第 4 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院自然科学研究科 神戸大学工学部電気電子工学科
The Graduate School of Science and Technology, Kobe University Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Kobe University
第 5 著者 氏名(和/英) 山本 恵一 / K Yamamoto
第 5 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院自然科学研究科 神戸大学工学部電気電子工学科
The Graduate School of Science and Technology, Kobe University Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Kobe University
発表年月日 1998/12/10
資料番号 SDM98-178
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 445
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日