| 講演名 | 1998/12/10 RTA処理がキャリアライフタイムに与える影響 久保 裕子, 石長 篤, 米田 健司, |
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| 抄録(和) | RTA処理がSiO_2/Si界面に与える影響を、少数キャリアライフタイム(MCLT)および界面準位密度の変化を調査することにより確認した。また、これらのRTA処理による影響を、窒素雰囲気もしくは水素雰囲気中での電気炉アニールにより回復できることを確認した。今後、プロセス中でRTA処理を用いる場合には、後工程でのアニールによるダメージの回復などプロセス設計上の配慮が必要である。 |
| 抄録(英) | The influence of RTA(Rapid Termal Annealing)process on the interface characteristics of SiO_2/Si system has been investigated by measuring the variation of MCLT(Minority Carrier Lifetime)and interface-state density. Both MCLT and interface-state density deteriorate dastically after RTA above 600℃. The MCLT and interface-state density can be recovered by the post annealing in N_2 ambient at 600℃ or in H_2 ambient at 400℃. The final damage recovering process such as H_2 sintering is required for RTA based low thermal budget process. |
| キーワード(和) | RTA / RTP / MCLT / 少数キャリアライフタイム / 界面準位 |
| キーワード(英) | RTA / RTP / MCLT / Minority carrier lifetime / Interface-state density |
| 資料番号 | SDM98-177 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RTA処理がキャリアライフタイムに与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Influence of Rapid Thermal Annealing on the Minority Carrier Lifetime |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTA / RTA |
| キーワード(2)（和/英） | RTP / RTP |
| キーワード(3)（和/英） | MCLT / MCLT |
| キーワード(4)（和/英） | 少数キャリアライフタイム / Minority carrier lifetime |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / Interface-state density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久保 裕子 / Hiroko Kubo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石長 篤 / Atsushi Ishinaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米田 健司 / Kenji Yoneda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-177 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |