| 講演名 | 1998/12/10 イオン注入による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップ 庭山 雅彦, 久保 裕子, 米田 健司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 大電流イオン注入時のイオンビームによる正のチャージアップを抑制するために、イオンビームの軌道もしくはウェハに電子が照射されるが、今回はその供給された電子による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップの挙動についての調査を行った。膜厚が5mm以下の薄膜ゲート酸化膜では、イオンビームによる正のチャージアップだけではなく、フラッドガンから供給される電子によってもチャージアップが発生する。この負のチャージアップは、フラッドガンから供給される電子の最大エネルギーに強く依存し、トータル供給量には余り強く影響されない。例えば、ゲート酸化膜が3.5nmではフラッドガンから9eVの電子が供給されると破壊が発生している。薄膜化されたゲート酸化膜では、チャージアップを抑制するために、フラッドガンから供給される電子のエネルギーを制御することが重要である。 |
| 抄録(英) | The dielectrics breakdown of ultra-thin gate oxide due to excess electrons supplied by charge neutralization system such as plasma flood system(PFS)is discussed. For the ultra-thin gate oxide below 5nm, the oxide breakdown due to not only positive charge build-up by ions but also negative charge build-up by PFS becomes noticeable. The maximum energy of electrons from PFS dominates the oxide breakdown instead of total electron flux. For the 3.5nm gate oxide, maximum electron energy should not exceed 9eV to suppress the breakdown. For the ultra thin gate dielectrics, the energy control of electron is the most important to suppress the oxide breakdown by excess electrons from PFS. |
| キーワード(和) | イオン注入 / チャージアップ / MOSキャパシタ / フラッドガンシステム / 供給電子 |
| キーワード(英) | ion implantation / charge build-up / MOS capacitor / Flood Gun System / electron |
| 資料番号 | SDM98-176 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオン注入による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study of Charge Build-up Behavior on Ion Implanted |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | チャージアップ / charge build-up |
| キーワード(3)（和/英） | MOSキャパシタ / MOS capacitor |
| キーワード(4)（和/英） | フラッドガンシステム / Flood Gun System |
| キーワード(5)（和/英） | 供給電子 / electron |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 庭山 雅彦 / Masahiko Niwayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 裕子 / Hiroko Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米田 健司 / Kenji Yoneda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-176 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |