| 講演名 | 1998/12/10 ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成 森泉 和也, 植田 康之, 冬木 隆, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | ECRリモートプラズマ法を用いて、ナノメータオーダーの極薄SiO_2膜を500℃の低温で形成した。プラズマ発光分光を行い、O_2とArの流量制御により酸化速度が制御可能であることを示した。低温で形成されたSiO_2膜の電気的特性を電流-電圧測定ならびに高周波容量-電圧測定により評価した。酸化膜形成前に数原子層のほぼ酸化膜を基盤表面に形成することで、低電界リーク電流が検出限界まで抑制されることを示した。また保護酸化膜はSi/SiO_2界面特性の改善にも寄与することを高周波容量-電圧測定から明らかにした。 |
| 抄録(英) | Nm-order ultra-thin SiO_2 films were formed at a low temperature of 500℃ by ECR remote plasma system. Plasma-emission spectra showed that the oxidation rate could be controlled by O_2 and Ar flow rates. The eletric properties of low-temperature SiO_2 films were evaluated by I-V and high-frequency C-V measurements. It was shown that the formation of atomic-scale preoxide before remote-plasma oxidation decreased the leakage current at low electric field down to detection-limit and that it improved Si/SiO_2 interface characteristics. |
| キーワード(和) | 極薄膜SiO_2 / ECRリモートプラズマ法 / 低温酸化 / 発光分光 / 保護酸化膜 |
| キーワード(英) | ultra-thin SiO_2 / ECR remote plasma / low-temperature oxidation / OES / preoxide |
| 資料番号 | SDM98-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultra-thin SiO_2 at Low Temperature by ECR Remote Plasma System |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極薄膜SiO_2 / ultra-thin SiO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | ECRリモートプラズマ法 / ECR remote plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 低温酸化 / low-temperature oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 発光分光 / OES |
| キーワード(5)（和/英） | 保護酸化膜 / preoxide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森泉 和也 / K Moriizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 植田 康之 / Y Ueda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Scienceand Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T Fuyuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H Matsunami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Scienceand Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-175 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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