| 講演名 | 1998/12/10 極薄Si酸化膜の直接トンネル伝導の解析 三浦 隆司, 松尾 直人, 山内 純也, 北川 康範, 三好 正毅, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | p-Si(100)に形成された2.7～3.3mmの膜厚を有する熱極酸化膜の低電圧領域における直接トンネル(DT:direct tunneling)伝導を、低電位電極から、高電位電極への逆方向DT電流を考慮することにより検討した。0～0.5Vの酸化膜低印加電圧領域において、電流減少率が大きくなる現象を証明した。しかし、この考慮だけでは絶対値において最大1桁の差を生じる。そこで、更に、逆方向DT電流にSiの多谷構造による縮退効果を考慮することにより、実験知をほぼ再現することができた。 |
| 抄録(英) | The direct tunneling(DT) conduction in the low voltage range for the thermal SiO_2 with a thickness of 2.7～3.3mm formed on p-Si(100) substrate is examined considering the reverse DT current which flows from the low potential electrode to the high potential electrode. The phenomenon that the decrease ratio of the DT current in the range of 0～0.5V increases was clarified. However, there is still a difference of the DT current of one order at maximum between the measured and the calculated data. Consideration of Si multi-folded valleys reproduces the measured DT current in the low voltage range. |
| キーワード(和) | 極薄Si酸化膜 / 直接トンネリング 低電圧領域 / 逆方向DT電流 / Siの多谷構造 |
| キーワード(英) | thin SiO_2 film / direct tunneling / the low voltage / reverse DT current / Si multi-folded valleys |
| 資料番号 | SDM98-174 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄Si酸化膜の直接トンネル伝導の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Direct Tunneling of Thin SiO_2 Film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極薄Si酸化膜 / thin SiO_2 film |
| キーワード(2)（和/英） | 直接トンネリング 低電圧領域 / direct tunneling |
| キーワード(3)（和/英） | 逆方向DT電流 / the low voltage |
| キーワード(4)（和/英） | Siの多谷構造 / reverse DT current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 隆司 / N MIURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / N MATSUO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山内 純也 / J YAMAUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 北川 康範 / Y KITAGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三好 正毅 / T MIYOSHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-174 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |