| 講演名 | 1998/12/10 水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析 岡田 則男, 弓達 新治, 金島 岳, 奥山 雅則, 西原 功修, |
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| 抄録(和) | 溶液処理で平坦化したSi(111)を大気中で曝露し、その表面を原子間力顕微鏡(AFM)で測定するとともに、分子軌道法による理論的解析を行い、両者を比較して初期酸化過程について調べた。AFM観察から大気中の初期酸化はH_2Oに敏感でありO_2のみの場合とは異なった反応経路を示すと考えられ、分子軌道法でも同様の結果が得られた。また、導電性のカンチレバーを使用したAFMによってI-V測定を行い、180分間経過したSiにおいて酸化膜を介したトンネル電流によると考えられる特性を確認した。 |
| 抄録(英) | Si(111) flattened by NH_4F treatment has been exposed in air, and the surface has been observed by Atomic Force Microscopy(AFM). Atomic bondings have been theoretically analyzed by Molecular Orbital Method. The AFM observation shows that native oxidation in air is sensitive to H_2O and the reaction of H_2O with Si is different from that of O_2, and Molecular Orbital Analysis supports this behavior. Moreover for the Si exposed for 180 min, tunneling current through the oxide film is measured by I-V measurements with AFM using conductive cantilever and fitted well with theoretical curve analyzed by tunneling through SiO_2. |
| キーワード(和) | 原子間力顕微鏡(AFM) / 分子軌道法 / 大気中初期酸化 |
| キーワード(英) | Atomic Force Microscopy(AFM) / Molecular Orbital Method / Native oxidation in air |
| 資料番号 | SDM98-173 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AFM Observation and Molecular Orbital Analysis of Initial Oxidation in Air on H-terminated Si(111)Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子間力顕微鏡(AFM) / Atomic Force Microscopy(AFM) |
| キーワード(2)（和/英） | 分子軌道法 / Molecular Orbital Method |
| キーワード(3)（和/英） | 大気中初期酸化 / Native oxidation in air |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 則男 / Norio OKADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 弓達 新治 / Shinji YUDATE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学レーザー核融合研究センター Institute of Laser Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金島 岳 / Takeshi KANASHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥山 雅則 / Masanori OKUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics Department of Physical Science, Graduate Schoolof Engineering Science, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西原 功修 / Katsunobu NISHIHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学レーザー核融合研究センター Institute of La ser Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-173 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |