| 講演名 | 1998/12/10 イオン衝突によるシリコン表面欠陥の高温STM観察 瀬木 利夫, 松尾 二郎, 山田 公, |
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| 抄録(和) | 半導体プロセスにおけるイオン注入の低エネルギー化・極浅化に伴い、イオン照射による表面欠陥のアニール過程を原子レベルで理解する必要がある。今回1keVのXeイオンを室温で照射したSi(111)表面を室温及び高温でSTM観察し、表面欠陥の回復過程を解明した。照射直後はvacancyや再付着したSi原子が多数観察され、その後基板温度を600℃にしたところ、再付着したSi原子は見られなくなり、7×7再構成面の中にvacancy clusterが観察された。さらに600℃において連続的にSTM観察したところ、vacancy clusterと7×7構造の境界にあるSi原子のみが移動し、大きなvacancy clusterはほとんど変化しなかった。これらのことは再付着Si原子は600℃において速い速度で移動し、vacancyにトラップされ表面の再構成に寄与するが、表面でのvacancyの変化は非常に遅いことを示している。 |
| 抄録(英) | Variable Temperature Scanning Tunneling Microscope(VT-STM)allows us to study annealing process of the damage caused by ion impact. A Si(111)surface irradiated by Xe ion, with Va=1kV and Dose-6.4×10^12 ions/cm^2, was observed by VT-STM. The disordered image was obtained at room temperature after irradiation. Many redeposited Si atoms and several vacancy clusters were found on the surface. When it was observed by VT-STM at 600℃, some fragments of the 7×7 structure and vacancy clusters remained on the surface. At this temperature, only atoms on bondary between vacancy cluster and 7×7 structure could move, but the large vacancy clusters didn't move. These indicate that redeposited Si atoms move fast , but vacancies move very slow on surfaces at 600℃. |
| キーワード(和) | STM / Si / イオン照射 / 表面欠陥 / クラスター / 熱回復過程 / 空孔 |
| キーワード(英) | STM / Si / Ion irradiation / defect on surface / cluster / annealing process / vacancy |
| 資料番号 | SDM98-172 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオン衝突によるシリコン表面欠陥の高温STM観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | VT-STM observation of Si surfaces damaged by ion impact |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | イオン照射 / Ion irradiation |
| キーワード(4)（和/英） | 表面欠陥 / defect on surface |
| キーワード(5)（和/英） | クラスター / cluster |
| キーワード(6)（和/英） | 熱回復過程 / annealing process |
| キーワード(7)（和/英） | 空孔 / vacancy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瀬木 利夫 / Toshio Seki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 二郎 / Jiro Matsuo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 公 / Isao Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-172 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |