| 講演名 | 1998/12/10 プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性 黒部 憲一, 冬木 隆, 松波 弘之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | SiH_2Cl_2を原料ガスとするプラズマ援用CVD法を用いて単結晶シリコン成長を行い、900～1050℃における成長速度を調べた。プラズマ電力の増大とともに成長速度が上がる傾向を示した。プラズマ発光分析の結果、50W以下の条件ではSiCl_2およびArの発光のみが観測された。アンドープ層の電気的特性を調べた結果、プラズマ援用による成長層は従来の熱CVDによる成長層に比べて、ホール移動度にはほとんど差がないことが分かった。プラズマ援用によってp型層を成長し、測定された拡散長は20μm程度となり、薄膜太陽電池への応用が可能であることが示された。 |
| 抄録(英) | Silicon epitaxial growth has been studied by using the plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD)method with SiH_2Cl_2, H_2 and Ar gases at temperatures between 900and 1050℃. The growth rate increased with RF power(<50W)and only the emission spectra of SiCl_2 and Ar are observed. The electrical properties of undoped epitaxial layers are investigated and little difference is found between the grown layers with and without plasma in Hall mobility. The diffusion length of p-doped layer with plasma measured about 20μm and that leads the possibility for thin filmsolar cell. |
| キーワード(和) | 薄膜 / 太陽電池 / 単結晶シリコン / プラズマ援用CVD / ジクロロシラン / 発光分析 |
| キーワード(英) | thin film / solar cell / crystaline silicon / PECVD / SiH_2Cl_2 / optical emission spectroscopy |
| 資料番号 | SDM98-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of crystaline silicon grown by PECVD for thin film solar cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(3)（和/英） | 単結晶シリコン / crystaline silicon |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ援用CVD / PECVD |
| キーワード(5)（和/英） | ジクロロシラン / SiH_2Cl_2 |
| キーワード(6)（和/英） | 発光分析 / optical emission spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒部 憲一 / K Kurobe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T Fuyuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H Matsunami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-171 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |