| 講演名 | 1998/12/10 貼り合わせSOI中の過剰キャリアライフタイムの温度依存性 平野 昌志, 山内 功次, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | 貼り合わせSOI中の過剰キャリアの減衰の温度依存性を調べることで、欠陥準位の評価を試みた。SOI中の過剰キャリアの減衰は定温で時定数1ms以上の遅い成分が現れた。バルクSiでは遅い成分はSOIに比べ小さかった。定常光照射により遅い成分は小さくなりトラップの存在が確認された。Shockley-Read-Hallの理論解析から、そのトラップは浅い準位に存在すると判断した。 |
| 抄録(英) | We attempted to estimate trap levels from investigation of temperature dependence of excess carrier decay in the bonded SOI. The decay of excess carriers contained a very slow component with a time constant over 1ms at low temperatures. This slow component was less significant in the bulk Si than in the bonded SOI. When the SOI samples were illuminated with steady light, the slow component was diminished. Thus it was found that traps exist in the bonded SOI. From the calculation based on the Shockley-Read-Hall theory, we estimated that the trap levels were shallow, i. e., <0>25eV. |
| キーワード(和) | 貼り合わせSOI / ライフタイム / 温度依存性 / トラップ |
| キーワード(英) | bonden SOI / lifetime / temperature dependence / trap |
| 資料番号 | SDM98-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 貼り合わせSOI中の過剰キャリアライフタイムの温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependence of excess carrier lifetime in bonded SOI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貼り合わせSOI / bonden SOI |
| キーワード(2)（和/英） | ライフタイム / lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平野 昌志 / Masashi Hirano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山内 功次 / Koji Yamauchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept.of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 共同研究センター Center for Cooperative Research |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute Technology |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-170 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |