| 講演名 | 1998/12/10 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価 松浦 秀治, 木本 恒暢, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | 半導体中の多数キャリア密度の温度依存性n(T)から、複数のドーパントおよびトラップの密度とエネルギー準位を高精度で評価できる方法を提案し、検討した。次に、ホール効果測定から窒素をドープしたn型4HSiCのn(T)を測定し、本方法を用いてドナーを評価した。4HSiCに窒素をドープすることにより二種類のドナー準位が形成されることが確認でき、さらに信頼できる二種類のドナー準位とドナー密度を評価することができた。 |
| 抄録(英) | We proposed and discuss a new method for determining the densities and energy levels of dopants and traps in a semiconductor by the temperature dependence n(T) of majority-carrier concentration. Using n(T) N-doped n-type 4HSiC measured by means of Hall-effect measurement, we determine the densities and energy levels of donors by the method proposed here. Two types of donors due to N atoms were confirmed, and the obtained values of the densities and energy levels were found to be reliable. |
| キーワード(和) | ドーパント / トラップ / 評価方法 / 多数キャリア密度の温度依存性 / 4HSiC / ホール効果測定 |
| キーワード(英) | dopant / trap / evaluation method / temperature dependence of majority-carrier concentration / 4HSiC / Hall-effect measurement |
| 資料番号 | SDM98-169 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Determination of Donor Densities and Energy Levels in SiC by a New Graphical Method Based on the Temperature Dependence of Majority-Carrier Concentration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドーパント / dopant |
| キーワード(2)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(3)（和/英） | 評価方法 / evaluation method |
| キーワード(4)（和/英） | 多数キャリア密度の温度依存性 / temperature dependence of majority-carrier concentration |
| キーワード(5)（和/英） | 4HSiC / 4HSiC |
| キーワード(6)（和/英） | ホール効果測定 / Hall-effect measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Osaka Electro-Communication University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tunenobu Kimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronics Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / Hiroyuki Matsunami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronics Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-169 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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