| 講演名 | 1998/12/10 反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御 平野 昌志, 加藤 直樹, 市村 正也, 荒井 英輔, 高松 弘行, 住江 伸吾, |
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| 抄録(和) | 透明電極、スペーサー、SiウェハでMIS構造をつくり、電圧を正、負、それぞれ2kVまで印加した。レーザは電極を透過してウェハに照射され、その過剰キャリアの減衰を反射μ波光導電減衰法(μ-PCD)により測定した。結果、熱酸化膜のないウェハでは-2kVを電極に印加することでキャリアライフタイムは約3倍に増加した。これは外部電解により表面再結合速度が制御された結果と考えられる。熱酸化したウェハは異なる電圧依存性を示した。これは、表面の電荷と、表面準位を考えることで説明できる。 |
| 抄録(英) | A negative or positive voltage up to 2kV was applied to a MIS structure consisting of a transparent electrode, a spacer and a Si wafer. The wafer was irradiated with a pulsed laser through the electrode, and the decay of the excess carriers was monitored by the microwave reflectance photoconductivity decay(μ-PCD)method. The carrier lifetime of P- and n-type as-polished wafers was increased by a factor of 3 by application of 2kV negative voltage to the electrode. This showed that the surface recombination velocity was controlled by the external electric field. Different tendency was observed for the oxidized wafers, and these results were explained considering the surface charge and the surface state. |
| キーワード(和) | 反射μ波光導電減衰法 / ライフタイム / 表面再結合 / 表面バンド |
| キーワード(英) | μ-PCD / lifetime / surface recombination / surface band |
| 資料番号 | SDM98-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of surface recombination of Si wafers by electric field in the μ-PCD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反射μ波光導電減衰法 / μ-PCD |
| キーワード(2)（和/英） | ライフタイム / lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | 表面再結合 / surface recombination |
| キーワード(4)（和/英） | 表面バンド / surface band |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平野 昌志 / Masashi Hirano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 直樹 / Naoki Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 共同研究センター Center for Cooperative Research |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高松 弘行 / Hiroyuki Takamatsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)神戸製鋼所 Process Technology Research Laboratory, Kobe SteeI, LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 住江 伸吾 / Shingo Sumie |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)神戸製鋼所 Process Technology Research Laboratory, Kobe SteeI, LTD. |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-168 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |