| 講演名 | 1998/12/10 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価 阿形 眞司, 和田 秀夫, 江利口 浩二, 藤本 晶, 金島 岳, 奥山 雅則, |
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| 抄録(和) | 半導体のバンド構造を非接触・非破壊で評価できるフォトレフレクタンス(PR)分光法を用いて異なる平坦性を示すSiを評価した。n-Si(111)をNH_4F処理の有無により平坦化したFlat試料と処理無しのRough試料を作製した。PR信号強度は平坦化処理を行ったFlat試料が、未処理のRough試料より大きかった。これは平坦化処理により基板表面近傍に再結合中心となる界面準位が減少し、表面電解の変調の効果がより大きくなったためと考えられる。また、高周波C-V特性や少数キャリアのライフタイム測定から得られた結果はこの推論を支持している。 |
| 抄録(英) | Si wafers with different flatness has been characterized by photoreflectance(PR)spectroscopy which is optical, contactless and nondestructive method. Si surface has been atomically flattened by NH_4F treatment. The PR signal intensity of the sample with flat treatment is larger than that without flat treatment. This is because the surface field modulation becomes large in the flat surface due to decrease of the density of interface levels as recombination center. This result agrees well with characteristics of high-frequency capacitance and life time of minority carrier. |
| キーワード(和) | フォトレフレクタンス分光法 / 表面平坦化処理 / 界面準位密度 / ライフタイム |
| キーワード(英) | Photoreflectance / Flat treatment Density of interface levels / Life time |
| 資料番号 | SDM98-167 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoreflectance Analysis of Si(111)with Different Flatness |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトレフレクタンス分光法 / Photoreflectance |
| キーワード(2)（和/英） | 表面平坦化処理 / Flat treatment Density of interface levels |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / Life time |
| キーワード(4)（和/英） | ライフタイム |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阿形 眞司 / Masashi AGATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka Univeristy |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和田 秀夫 / Hideo WADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka Univeristy |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江利口 浩二 / Koji ERIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)中央研究所 Central Research Lab, Matsusita Electric Ind. Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤本 晶 / Akira FUJIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 和歌山工業高等専門学校電気工学科 Department of Electrical Engineering, Wakayama National College of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金島 岳 / Takeshi KANASHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka Univeristy |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 奥山 雅則 / Masanori OKUYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka Univeristy |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-167 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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