| 講演名 | 1998/5/22 Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係 中嶋 健次, 渡辺 行彦, 船橋 博文, 吉田 友幸, 光嶋 康一, |
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| 抄録(和) | Bイオン注入によって誘起されるOSF発生密度におよぼす, Bイオン注入量, 基板酸素濃度およびBイオン注入後の熱処理の影響を調べた。OSFはBイオン注入欠陥と基板中の酸素が共存する状態で酸化熱処理を行った場合に発生し, 基板酸素濃度が高いほど発生しやすかった。この結果より, OSFはBイオン注入欠陥によって酸素析出が促進され, 形成された酸素析出物を核として発生することがわかった。Bイオン注入によって誘起されるOSFの酸化膜信頼性におよぼす影響を調べ、OSF発生した試料では酸化膜の絶縁破壊特性が劣化することを示した。 |
| 抄録(英) | Effects of ion implantation, interstitial oxygen concentration, and heat treatment after ion implantation on the formation of OSFs induced by B ion implantation were investigated. The OSFs were formed during oxidation when interstitial oxygen coexisted with B ion implantation defects, and the density of the OSFs increased with oxygen concentration. From these results, it is found that B ion implantation defects form oxygen precipitates which acts as nuclei for OSFs. In addition, the relation between the OSFs induced by B ion implantation and gate oxide reliability was investigated. The degradation of the oxide reliability was found to corelate with the OSFs formation. |
| キーワード(和) | ボロン / イオン注入 / OSF / 基板酸素濃度 / 酸化膜 / 信頼性 |
| キーワード(英) | boron / ion implantation / OSF / interstitial oxygen concentration / oxide / reliability |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Bイオン注入によって誘起されるOSFと酸化膜信頼性との関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relation between OSF induced by B Ion Implantation and Gate Oxide Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ボロン / boron |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | OSF / OSF |
| キーワード(4)（和/英） | 基板酸素濃度 / interstitial oxygen concentration |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化膜 / oxide |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中嶋 健次 / Kenji Nakashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 行彦 / Yukihiko Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船橋 博文 / Hirofumi Funabashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 友幸 / Tomoyuki Yoshida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 光嶋 康一 / Yasuichi Mitsushima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |