| 講演名 | 1998/5/22 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測 渡辺 行彦, 副島 成雅, 吉田 友幸, 光嶋 康一, |
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| 抄録(和) | 我々は、電圧ランプ法を用いて測定したゲート酸化膜の破壊電圧分布から酸化膜の実効薄膜化量の密度を求め, その密度関数を用いてTDDB特性を予測する方法を検討した。その結果, 偶発故障領域から真性破壊領域までのTDDB特性を精度良く予測することができた。 |
| 抄録(英) | We investigated a method of predicting the TDDB characteristics of gate oxide from the breakdown voltage distribution measured by the voltage ramp method. The TDDB characteristics were measured and predicted from the distribution function of the oxide effective thinning density that was calculated from the breakdown voltage distribution. The predicted TDDB characteristics were in good agreement with the measured characteristics in both intrinsic and extrinsic region. |
| キーワード(和) | 酸化膜 / 信頼性 / 破壊電圧 / 寿命 / 予測 |
| キーワード(英) | oxide / reliability / breakdown voltage / lifetime / prediction |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A prediction of gate oxid lifetime from the breakdown voltage measured by the voltage ramp method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化膜 / oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(3)（和/英） | 破壊電圧 / breakdown voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 寿命 / lifetime |
| キーワード(5)（和/英） | 予測 / prediction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 行彦 / Y. Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 TOYOTA Central R&D Labs., Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 副島 成雅 / N. Soejima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 TOYOTA Central R&D Labs., Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 友幸 / T. Yoshida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 TOYOTA Central R&D Labs., Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 光嶋 康一 / Y. Mitsushima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)豊田中央研究所 TOYOTA Central R&D Labs., Inc. |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |