| 講演名 | 1998/5/22 シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析 鈴木 勝之, 猪口 純康, 齋藤 洋司, |
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| 抄録(和) | 高信頼性ゲート絶縁膜として、シリコン窒化酸化膜が注目されているが、その形成過程は明らかではない。本研究では、励起窒素、酸素の混合ガスを用いて窒化酸化を行った場合の窒素の結合状態を、角度分解型X線光電子分光分析により解析し、形成過程の解明を試みた。高温、高真空の条件では時間の増加に伴い、酸素濃度と窒素濃度は飽和傾向にあることが分かった。また、温度により結合状態が異なり、700℃ではN-Si3結合が大部分を占めるが、800℃ではN-Si2結合とN-Si結合も存在することが分かった。また、角度分解による非破壊方向分析で、最表面付近にのみ膜ができたことを確認した。 |
| 抄録(英) | Althought silicon oxynitride films have drawn attention as high-quality gate dielectrics, their growth process is not clear. In this work, we tried direct oxynitridation of silicon by excited nitrogen and oxygen mixtures, and investigated the growth by angle resoleved x-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS). With increase of the oxynitridation time, both nitrogen and oxygen concentration show the saturation behavior. At 700℃, N-Si3 bonding structures become to dominate the surface structure. But at 800℃, N-Si2 and N-Si bonding structures which are not stable become to increse. And ARXPS shows that silicon oxynitride films are made at about surface. |
| キーワード(和) | 窒化酸化膜 / 励起窒素 / 励起酸素 / 角度分解型X線光電子分光法 |
| キーワード(英) | oxynitride film / excited nitrogen / excited oxygen / angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Angle resoleved x-ray photoelectron study on oxynitridation process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化酸化膜 / oxynitride film |
| キーワード(2)（和/英） | 励起窒素 / excited nitrogen |
| キーワード(3)（和/英） | 励起酸素 / excited oxygen |
| キーワード(4)（和/英） | 角度分解型X線光電子分光法 / angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 勝之 / Masayuki Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 猪口 純康 / Sumiyasu Iguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 洋司 / Yoji Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |