講演名 1998/5/22
励起無水フッ化水素による自然酸化膜の選択的エッチング
山崎 博史, 小笠原 將光, 中澤 豊, 齋藤 洋司,
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抄録(和) 集積回路の小型化、高集積化に伴い、その作製技術において、シリコン表面上に形成される自然酸化膜の影響が無視できなくなり、自然酸化膜のエッチングの重要性が増している。本研究では、アルゴンリモートプラズマにより間接的に励起した無水フッ化水素によるシリコン自然酸化膜のエッチングにおいて、水素を導入してシリコンに対する選択性を得ることができることを示す。
抄録(英) With the trend toward down-scaling of a device size in the integrated circuits, the etching technique of the native oxide becomes important. In this study, we demonstrate etching reaction between the silicon native oxide and anhydrous hydrogen fluoride (AHF) gas with remote-plasma-excite Ar gas. We attempt to improve the selectivity of the oxide etching with respect to silicon by introduceing hydrogen into the system.
キーワード(和) 自然酸化膜 / 無水フッ化水素 / ドライエッチング / リモートプラズマ
キーワード(英) native oxide / anhydrous hydrogen floride / dry etching / remote-plasma
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 1998/5/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 励起無水フッ化水素による自然酸化膜の選択的エッチング
サブタイトル(和)
タイトル(英) Selective etching of native oxide by remote-plasma-excited anhydrous HF
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 自然酸化膜 / native oxide
キーワード(2)(和/英) 無水フッ化水素 / anhydrous hydrogen floride
キーワード(3)(和/英) ドライエッチング / dry etching
キーワード(4)(和/英) リモートプラズマ / remote-plasma
第 1 著者 氏名(和/英) 山崎 博史 / Hirofumi Yamazaki
第 1 著者 所属(和/英) 成蹊大学工学部電気電子工学科
Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University
第 2 著者 氏名(和/英) 小笠原 將光 / Masamitsu Ogasawara
第 2 著者 所属(和/英) 成蹊大学工学部電気電子工学科
Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University
第 3 著者 氏名(和/英) 中澤 豊 / Yutaka Nakazawa
第 3 著者 所属(和/英) 成蹊大学工学部電気電子工学科
Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University
第 4 著者 氏名(和/英) 齋藤 洋司 / Yoji Saito
第 4 著者 所属(和/英) 成蹊大学工学部電気電子工学科
Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University
発表年月日 1998/5/22
資料番号
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 64
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日