| 講演名 | 1998/5/22 フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス 森 右京, 瀧川 佳奈, 齋藤 洋司, |
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| 抄録(和) | 集積回路中のpチャンネルMOSFETにおいて、多結晶シリコンゲート電極中のボロンが、薄い酸化膜を突き抜けてシリコン基板中に拡散し、MOSFETの閾値電圧を変動させる問題が生じている。現在、このボロンの拡散を抑制するために、シリコン酸化膜表面の窒化が要求されている。そこで我々は、酸化膜をフッ素処理した後、プラズマ励起した窒素中にさらす事で、シリコン酸化膜の表面窒化を行った。本論文では、表面窒化を行った酸化膜についての、窒素とフッ素の深さ方向濃度分布と、各元素の結合状態をX線光電子分光法で分析した。また、基板の表面形状を原子間力顕微鏡で調べた。 |
| 抄録(英) | In p-chanel MOSFET with poly silicon gate, boron to the substrate penetration through the thin gate oxide changes threshold voltage. Recently, surface nitridation of silicon oxide is required to suppress boron penetration. We tried surface nitridation of silicon oxide by the exposure to fluorine and to excited nitrogen. In this paper, we show depth profile of nitrogen and fluorine in the nitrided oxide. The bonding states of N and F were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy. Moreover, the morphology of the nitrided surfaces was investigated by atomic force microscope |
| キーワード(和) | 酸化膜 / 表面窒化 / フッ素 / リモートプラズマ / X線光電子分光法 / 原子間力顕微鏡 |
| キーワード(英) | oxide / surface nitridation / fluorine / remote plasma / X-ray photoelectron spectroscopy / atomic force microscope |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface nitridation process of silicon dioxide by fluorine and excited nitrogen treatment |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化膜 / oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 表面窒化 / surface nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | フッ素 / fluorine |
| キーワード(4)（和/英） | リモートプラズマ / remote plasma |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光法 / X-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 右京 / Ukyo Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀧川 佳奈 / Kana Takigawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 洋司 / Yoji Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 成蹊大学工学部電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |