| 講演名 | 1998/5/22 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究 早川 崇則, 細川 修, 吉越 章隆, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | 近年の半導体プロセスの微細化、高集積化に伴い、光化学気相成長法(光 CVD 法)が急速に注目されている。真空紫外光は高いフォトンエネルギーを有するため、光CVD法において広く利用されている。しかしながら、照射の初期段階において、真空紫外光が基板そのものに及ぼす影響を報告したものはほとんど見あたらない。本研究では、光源としてアンジュレータ放射光、ArFエキシマレーザ、基板に層状半導体である二硫化モリブデンを使用し、両光源が基板に及ぼす影響を走査型トンネル顕微鏡(STM)により観察した。その結果、真空紫外光照射により基板表面に変化が生じ、その変化はフォトンエネルギーにより異なる現象が観察された。 |
| 抄録(英) | Recently, vacuum ultraviolet(VUV)-light sources are opening up a new prospect in a semiconductor processing technology because of a high photon energy. The effect on the semiconductor surface with VUV-light must be clarified. Though it is of importance to investigate the defect creation and an atomic behavior on the semiconductor surfaces. In this study, undulator radiation and ArF excimer laser were chosen as alight source. Molybdenum disulfide (MoS_2) was used as a substrate. VUV-light induced surface reaction was investigated on the MoS_2 surface using scanning tunneling microscopy(STM). By comparing the results obtained for different photon energies, it was found that VUV-light irradiation modifies the MoS_2 surface and the effect is dependent on the photon energy. |
| キーワード(和) | 真空紫外光 / 走査型トンネル顕微鏡 / 二硫化モリブデン |
| キーワード(英) | VUV-light / STM / MoS_2 |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of surface photo-chemical reactions induced by VUV-light |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 真空紫外光 / VUV-light |
| キーワード(2)（和/英） | 走査型トンネル顕微鏡 / STM |
| キーワード(3)（和/英） | 二硫化モリブデン / MoS_2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 早川 崇則 / Takanori Hayakawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 細川 修 / Osamu Hosokawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉越 章隆 / Akitaka Yoshigoe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |