| 講演名 | 1998/5/22 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果 王 鋼, 曽我 哲夫, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | MOCVDで成長したSi上のGaAs膜を水素プラズマで処理した。C-V、PL、DLTS測定により水素プラズマのパッシベ-ション効果を研究した。低温PL(4.2K)特性の改善を観察した。浅い不純物のパシベ-ション効果の他に、深い準位のパッシベ-ション効果も確認された。 |
| 抄録(英) | The effects of plasma hydrogenation on the optical and electrical properties for GaAs-on-Si epitaxial layers characterized by I-V, PL, and DLTS methods. The hydrogenation provides a significant improvement of the PL properties. The deep level which is related to Si-defect complex was completely passivated, and the effect of the deep level passivation was still retained after annealing at 400℃ for 10 min. This suggests that the hydrogenation may be used to improve the properties of GaAs-on-Si devices. |
| キーワード(和) | Si上のGaAs / 水素プラズマ / パッシベ-ション / C-V / PL / DLTS |
| キーワード(英) | GaAs-on Si / H plasma / passivation / C-V / PL / DLTS |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | H Plasma passivation of MOCVD grown GaAs-on-Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si上のGaAs / GaAs-on Si |
| キーワード(2)（和/英） | 水素プラズマ / H plasma |
| キーワード(3)（和/英） | パッシベ-ション / passivation |
| キーワード(4)（和/英） | C-V / C-V |
| キーワード(5)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(6)（和/英） | DLTS / DLTS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 王 鋼 / Gang Wang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科電気情報工学専攻 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Tecnology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 曽我 哲夫 / Tetsuo Soga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Technology and Urbon Planning, Nagoya Institute of Tecnology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi Jimbo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻 Department of Environmental Technology and Urbon Planning, Nagoya Institute of Tecnology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / Masayoshi Umeno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科電気情報工学専攻 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Tecnology |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |