| 講演名 | 1998/5/22 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用 杉山 芳弘, 中田 義昭, 武藤 俊一, 堀口 直人, 二木 俊郎, 粟野 祐二, 横山 直樹, |
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| 抄録(和) | 自己形成InAs量子ドットを埋め込んだpinダイオードの光電流スペクトルのホールバーニング現象を観測した。スペクトルホールは外部バイアス電圧4V以上、温度40K以下で現われその幅は5Kの1mm以下と狭い。量子ドットの吸収スペクトルをローレンツ関数で、読み取り光であるcw Ti:A1_2O_3レーザスペクトルをガウス関数で近似し書き込み光レーザの発振スペクトルの数の畳み込み積分を行うと実験結果とほぼ良い一致をみた。得られた均一幅は80μeV以下であった。正孔が量子ドットに滞留するとしてその寿命を計算するとμsオーダであることが分かった。また多層積層したInAs量子ドットの光吸収スペクトルが明瞭に観測された。 |
| 抄録(英) | Spectral hole burning of InAs self-assembled quantum dots (QDs) embedded in pin-diode was observed for the first time. At 5 K, a narrow hole with width of less than 1 nm was observed under external electric field and the hole depth increased as the field increased. The hole was observed up to 40 K. Spectral hole width was well fitted with the convolution integral of Gaussian distribution of read light and Lorentzian distribution of absorption spectrum for QD taking into account homogeneous broadening of InAs QDs of ≤0.08 meV. Absorption spectra of multiple stacked QD layers was also observed. |
| キーワード(和) | ホールバーニング / InAs / 量子ドット / 波長多重メモリ / 光電流 |
| キーワード(英) | spectral Hole Burning / InAs / Semiconductor Quantum Dot / Wavelength-Domain-Multiplication Memory / Photocurrent |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hole Burning Memory Using InAs Self-Assembled Quantum Dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ホールバーニング / spectral Hole Burning |
| キーワード(2)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ドット / Semiconductor Quantum Dot |
| キーワード(4)（和/英） | 波長多重メモリ / Wavelength-Domain-Multiplication Memory |
| キーワード(5)（和/英） | 光電流 / Photocurrent |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉山 芳弘 / Yoshihiro Sugiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中田 義昭 / Yoshiaki Nakata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武藤 俊一 / Shunichi Muto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学部 Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 堀口 直人 / Naoto Horiguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 二木 俊郎 / Toshiro Futatsugi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 粟野 祐二 / Yuji Awano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横山 直樹 / Naoki Yokoyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |