| 講演名 | 1998/5/22 Ga_xIn_<1-x>P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性 川本 武司, 伊藤 隆, 市田 正夫, 渡邉 修, 山川 市朗, 藤原 康文, 中村 新男, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | OMVPE法により作製されたEr添加GaInP(GaInP:Er)において観測されるEr発光特性のGa組成依存性を系統的に調べた。GaPおよびInP基板上に成長したGaInPでは、Ga組成の増加に対してスペクトル形状の変化は見られないが、発光強度は増大した。この振舞いはEr発光寿命にも反映されており、Ga組成より発光効率が変化することが明らかになった。Er発光の温度消光はすべてのGaInP:Erにおいて観測された。その度合いはGa組成に依存し、Ga組成の増加に伴い温度消光は小さくなった。発光寿命の測定温度依存性をも踏まえて、Er発光機構について考察を行った。 |
| 抄録(英) | Er-related photoluminescence due to intra-4f shell transitions of Er^<3+> ion has been successfully observed in GaInP doped with Er by organometallic vapor phase epitaxy(OMVPE). In GaInP grown on GaP and InP, the luminescence intensity increased gradually with increasing Ga composition, While the spectral shape was invariant. In GaInP grown on GaAs, the luminescence spectrum was dominated by three emission lines. In a series of GaInP:Er, 4.2K life times of the dominant emission lines appearing around at 0.805eV decreased with the increase in Ga composition. Thermal quenching of the Er-related luminescence became gradually small with increasing Ga composition, i. e. , increasing band gap. Based on the temperature dependence of the life times, deep-level properties of Er in excitation mechanism of the 4f shell were discussed in the framework of an energy-transfer model. |
| キーワード(和) | 希土類添加半導体 / Er / GaInP / OMVPE / 温度消光 / 発光寿命 |
| キーワード(英) | rare-earth-doped semiconductor / Er / GaInP / OMVPE / Thermal quenching / Life time |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ga_xIn_<1-x>P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ga composition dependence of Er-related luminescence in Ga_xIn_<1-x>P:Er(0≦x≦1) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 希土類添加半導体 / rare-earth-doped semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Er / Er |
| キーワード(3)（和/英） | GaInP / GaInP |
| キーワード(4)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 温度消光 / Thermal quenching |
| キーワード(6)（和/英） | 発光寿命 / Life time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川本 武司 / T. Kawamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆 / T. Ito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市田 正夫 / M. Ichida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学理工科学総合研究センター Center for Integrated Research in Science and Engineering Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邉 修 / O. Watanabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山川 市朗 / I. Yamakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学理工科学総合研究センター Center for Integrated Research in Science and Engineering Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Y. Fujiwara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering Nagoya University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中村 新男 / A. Nakamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学理工科学総合研究センター Center for Integrated Research in Science and Engineering Nagoya University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Y. Takeda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering Nagoya University |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |