| 講演名 | 1998/5/22 Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥 加藤 正史, 古賀 祥泰, 市村 正也, 荒井 英輔, 山田 登, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | p型Si(100)基板上にn型3C-SiCをエピタキシャル成長させた試料について、バンドギャップ中央付近の深いエネルギー準位の欠陥を観測するため、およそ 100 から 600K の温度範囲で容量DLTS測定を行った。その結果、測定したすべての試料において 150K 付近でピークが見られた。室温付近にもピークが現れた試料によってピーク温度、幅に違いが見られた。さらに 500K 付近に幅の広いピークが見られた試料もあった。理論解析より、室温付近のピークは活性化エネルギー0.5～1eV、500K付近のピークは活性化エネルギー1.07～1.35eVの欠陥による信号と推測される。 |
| 抄録(英) | n-type 3C-SiC was grown on Si(100) substrates by chemical vapor deposition. In order to observe defects located near the middle of the band gap, the DLTS measurement was carried out in a temperature range from 100K to 600K. A DLTS peak appeared near 150K for all the samples. Some samples showed a peak near room temperature, but the width and position of this peak were different between samples. One of the samples showed a broad peak near 500K. This peak was attributed to deep defects whose activation energy is in the range of 1.07-1.35eV. |
| キーワード(和) | 3C-SiC / DLTS / 深い準位 |
| キーワード(英) | 3C-SiC / DLTS / deep level |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DLTS study of 3C-SiC grown on Si substrates : Defects observable above room temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | 深い準位 / deep level |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / M. Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst.Tech |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古賀 祥泰 / Y. Koga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst.Tech |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst.Tech |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / E. Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Inst.Tech |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 登 / N. Yamada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Lab. |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |