| 講演名 | 1998/5/22 有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長 徐 應瑜, 村松 隆広, 青木 徹, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | 有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(HMDS)を用いてリモートプラズマCVD法でSiC薄膜の堆積を試みた。得られた薄膜の組成はプラズマガスの種類により影響された。窒素と水素の混合ガスでは多量の窒素を含むものとなり、Arと水素混合ガスを用いて堆積した膜は中に多くの水素が含まれた。SiC:H膜であることが分かった。プラズマガスの混合比と堆積速度の関係から、水素ラジカルは気相反応を促進し、膜の形成過程において重要な役割を果たしていることが分かった。 |
| 抄録(英) | SiC film was deposited by remote plasma enhanced CVD method using Hexamethyldisilane(HMDS) as a Si monomer source. The composition of deposited film influenced by the kind of plasma gas. Using nitrogen and hydrogen mixture gas as plasma gas, obtained film contained large amount of nitrogen, and when using argon and hydrogen mixture gas, deposited film was a SiC film contained a large hydrogen content. In this research, we found that hydrogen radicals are very active for monomer source that can be solved to precursor for film deposition. |
| キーワード(和) | リモートプラズマCVD法 / ヘキサメチルヂシラン(HMDS) / SiC膜 / SiC:H膜 |
| キーワード(英) | Remote Plasma CVD / Hexamethyldisilane(HMDS) / SiC film / SiC:H film |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of SiC Thin Film Using Organic Si Material by Remote Plasma CVD Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマCVD法 / Remote Plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | ヘキサメチルヂシラン(HMDS) / Hexamethyldisilane(HMDS) |
| キーワード(3)（和/英） | SiC膜 / SiC film |
| キーワード(4)（和/英） | SiC:H膜 / SiC:H film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徐 應瑜 / Ying-Yu XU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村松 隆広 / Takahiro MURAMATSU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro NAKANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ.:Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori HATANAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronics Science and Technology, Shizuoka Univ.:Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ. |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |