| 講演名 | 1998/5/22 MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果 伊藤 孝浩, 勅使川原 秀多, 柳原 将貴, 大塚 康二, 桑原 憲弘, 角谷 正友, 高野 泰, 福家 俊郎, |
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| 抄録(和) | MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長において、バッファ層としてAIN及びGaNを用いて、サファイア基板窒化がGaN成長層へ与える影響について比較、検討した。窒化基板上に成長させた場合、バッファ層の種類に関わらず、表面形態のバッファ層膜厚依存性がみられた。バッファ層膜厚が薄い場合、凹凸の激しい6角形パターンとなった。バッファ層膜厚の増加によって表面形態が改善され、鏡面となる。A1Nバッファ層の方が膜厚の増加によって、表面形態及び結晶性が急激に変化した。GaN成長層の水素雰囲気中における熱的安定性の違い、及びCAICISSの結果より6角形パターンの現れるGaN成長面は(0001)N面であり、鏡面成長する成長面は(0001)Ga面であることが確認された。 |
| 抄録(英) | Effects of the substrate nitridation upon the surface morphology and the crystallinity of subsequent GaN layers were investigated for the GaN growth on sapphire using A1N or GaN buffer layer by MOCVD. When the GaN grown layers were grown on nitrided sapphire substrate, dependency of surface morphology on buffer layer thickness was observed in spite of buffer layer material. GaN films grown on thin A1N and GaN buffer layer had a hexagonal patterned surface. The surface morphology was improved by an increase of buffer layer thickness. For the A1N buffer layer, it was found that the surface morphology was suddenly changed and the crystallinity of GaN grown layer became worse with an increase of buffer layer thickness. Because of both the difference of thermal stability of the GaN grown layer in the H_2 ambient and the result of CAICISS, it was confirmed that hexagonal patterned surface was (0001) N face and mirror surface was (0001) Ga face. |
| キーワード(和) | GaN / A1N / MOCVD法 / 基板窒化 / バッファ層 / 極性 |
| キーワード(英) | GaN / A1N / MOCVD / substrate nitridation / buffer layer / polarity |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of sapphire substrate nitridation upon GaN grown layers by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | A1N / A1N |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD法 / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | 基板窒化 / substrate nitridation |
| キーワード(5)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| キーワード(6)（和/英） | 極性 / polarity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 孝浩 / T. Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 勅使川原 秀多 / H. Teshigawara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳原 将貴 / M. Yanagihara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | サンケイ電気(株)研究所 Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大塚 康二 / K. Ohtsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | サンケイ電気(株)研究所 Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / K. Kuwahara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 角谷 正友 / M. Sumiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y. Takano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / S. Fuke |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |