| 講演名 | 1998/5/22 A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長 斎木 久雄, 大西 正人, 嶋田 香志, 玄番 潤, 若原 昭浩, 吉田 明, |
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| 抄録(和) | InN結晶の高品質化を目指し、新しく A1_2O_3(11-20)を基板として用いて、マイクロ波励起リモート有機金属気相エピタキシャル成長法にてInNの成長を行った。また、低温成長バッファ層を導入し成長層の結晶及び電気的特性の検討を行った。その結果、窒化処理を行った成長層のロッキングカーブ測定における半値幅は、約110arcsecとなり(0001)面上に成長したものより小さく、結晶性が改善されていることが分かった。基板と成長層のエピタキシャル方位関係は、InN(0001)//A1_2O_3(11-20), InN[10-10]//A1_2O_3(0001)であった。また低温成長バッファ層を導入した場合には、さらにロッキングカーブの半値幅が狭くなった。 |
| 抄録(英) | We have made an effort to improve crystalline and electrical properties of InN on A1_2O_3(11-20). For preparing InN films, microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy[ME-MOVPE] using trimethyl-indium[TMIn] and nitrogen remoto plasma was employed. The crystal quality of the InN thin film was characterized with the double-crystal X-ray rocking curve [XRC]. The Full width at half maximam(FWHM) for (0002) diffraction from the InN/A1_2O_3(11-20) thin films became about 110 arcsec. By adapoting a low temparature grown InN bufer layer, the FWHM of XRC was narrower them that of direct growth. |
| キーワード(和) | InN / エピタキシャル成長 / A1_2O_3(11-20)基板 / 低温成長バッファ層 |
| キーワード(英) | InN / epitaxy / Al_2O_3(11-20) substrate / baffer layer |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hetero Epitaxial Growth of Indium Nitride Films on A1_2O_3(11-20) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | A1_2O_3(11-20)基板 / Al_2O_3(11-20) substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成長バッファ層 / baffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斎木 久雄 / Hisao Saiki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)三陽電機製作所 Sanyo Electric Works Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大西 正人 / Masato Onishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 嶋田 香志 / Kouji Shimada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 玄番 潤 / Jyun Gemba |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira Yoshida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 / Toyohashi University of Technology / |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |