| 講演名 | 1998/5/22 融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化 鵜殿 治彦, 菊間 勲, 岡田 安正, |
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| 抄録(和) | 高圧炉を用いたZn分圧制御融液成長ZnSe結晶のその場熱処理による格子定数の変化についてBond法による絶対測定により評価した.結晶温度T_ |
| 抄録(英) | We measured the absolute lattice parameters of in-situ ZnSe crystals grown from the melt by the Bond method. Lattice Parameters of annealed crystals at T_ |
| キーワード(和) | 格子定数 / Bond法 / ZnSe / 融液成長 / 密度 / 熱処理 |
| キーワード(英) | lattice parameter / Bond method / ZnSe / melt growth / density / anneal |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 融液成長ZnSe結晶の格子定数の絶対測定 : Zn分圧下でのその場熱処理による格子定数の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lattice Parameter of Melt Grown ZnSe Single Crystals by the Bond Method : Lattice Parameter Change in in-situ Annealed ZnSe Crystal |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 格子定数 / lattice parameter |
| キーワード(2)（和/英） | Bond法 / Bond method |
| キーワード(3)（和/英） | ZnSe / ZnSe |
| キーワード(4)（和/英） | 融液成長 / melt growth |
| キーワード(5)（和/英） | 密度 / density |
| キーワード(6)（和/英） | 熱処理 / anneal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鵜殿 治彦 / Haruhiko Udono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 茨城大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical & Electronics, Fac.of Engineering, IBARAKI Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊間 勲 / Isao Kikuma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 茨城大学工学部電気電子工学科 Dept.of Electrical & Electronics, Fac.of Engineering, IBARAKI Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 安正 / Yasumasa Okada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |