講演名 | 1998/5/22 有機金属気相成長CdTe層のドライエッチング特性の検討 二村 徹, 浅井 良彦, 犬飼 文人, 荒木 紀明, 宮田 充宜, 安田 和人, |
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抄録(和) | CH_4, Ar, H_2, 及びN_2を用いたCdTe層のECRプラズマエッチング特性について検討した.エッチング速度はN_2を供給することにより減少することが分かった.エッチング速度はCH_4供給量の少ない領域では増加するが, その後さらに供給量を増加すると0まで減少することが分かった.またH_2, Arのみによってもエッチングは生じ, H_2供給量とともにエッチング速度は増加することが分かった.実験結果をもとにエッチング機構について検討した.またエッチングがヨウ素ドープCdTe層の電気特性に及ぼす影響について, PL及びHall効果測定の結果から検討した. |
抄録(英) | Characteristics of ECR dry etching in CdTe layers have been studied using CH_4, H_2, Ar, and N_2. Etching rates decrease with increase of N_2 supply. Etch rate also increases with CH_4 flow. But the rate decreases at excess supply of CH_4. Etching was also possible using H_2 and Ar. Etching mechanisms were discussed. The influences of etching on CdTe layer was also evaluated. |
キーワード(和) | ECRプラズマエッチング / エッチングガス / CdTe / 電気特性 |
キーワード(英) | ECR plasma etching / etching gases / CdTe / electrical properties |
資料番号 | |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 有機金属気相成長CdTe層のドライエッチング特性の検討 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Characteristics of Dry Etching in CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ECRプラズマエッチング / ECR plasma etching |
キーワード(2)(和/英) | エッチングガス / etching gases |
キーワード(3)(和/英) | CdTe / CdTe |
キーワード(4)(和/英) | 電気特性 / electrical properties |
第 1 著者 氏名(和/英) | 二村 徹 / Toru Nimura |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 浅井 良彦 / Yoshihiko Asai |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 犬飼 文人 / Fumihito Inukai |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 荒木 紀明 / Noriaki Araki |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 宮田 充宜 / Mitsuyoshi Miyata |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
第 6 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
発表年月日 | 1998/5/22 |
資料番号 | |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 64 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 7 |
発行日 |