| 講演名 | 1998/5/22 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II) 犬飼 文人, 浅井 良彦, 二村 徹, 宮田 充宜, 荒木 紀明, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相(MOVPE)成長により成長温度375℃から450℃でGaAsおよびCZT基板上に成長したCdTe層とZnTe層のヨウ素ドーピング特性を検討した.成長温度450℃以上では, ドープ層は高抵抗化する.その高抵抗化の原因について, Hall効果測定(300K)よる電気特性評価, フォトルミネンセンス(4.2K)による光学特性評価から検討した. |
| 抄録(英) | Characteristics of Iodine doping in CdTe and ZnTe layers grown on GaAs and CdZnTe substrates by metalorganic vaper phase epitaxy have been studied in the growth temperture range from 375 to 450℃. Doped layers become high resistivity grown above 450℃. The mechanisms of high resistivity have studied by Hall effect measurements at 300K and photoluminescenc at 4.2K. |
| キーワード(和) | MOVPE / CdTe / ZnTe / ヨウ素ドーピング / フォトルミネッセンス |
| キーワード(英) | MOVPE / CdTe / ZnTe / iodine doping / photoluminescenc |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機金属気相成長CdZnTeのヨウ素ドーピング特性(II) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Iodine doping in CdZnTe layers grown by metalorganic vapor phase epitxy(II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | CdTe / CdTe |
| キーワード(3)（和/英） | ZnTe / ZnTe |
| キーワード(4)（和/英） | ヨウ素ドーピング / iodine doping |
| キーワード(5)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescenc |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 犬飼 文人 / Fumihito Inukai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅井 良彦 / Yoshihiko Asai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 二村 徹 / Toru Nimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮田 充宜 / Mitsuyoshi Miyata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒木 紀明 / Noriaki Araki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |