| 講演名 | 1998/5/22 リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法 野田 大二, 青木 徹, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法を用いてGaAs基板上に CdZnTe 薄膜の成長を行った.水素ラジカルを成長過程に導入することによりCdZnTe薄膜はエピタキシャル成長を示した.また, リモートプラズマを用いていることから窒素ラジカルドーピングが可能であり, ラジカル源にアンモニアまたは窒素と水素の混合ラジカルを用いることによりp-CdZnTe薄膜を得ることができた.成長後600℃の熱処理を行うことにより, キャリアー濃度は1.2×10^<19>cm^<-3>, 抵抗率では3.7×10^<-2>Ωcmの値のものが得られた. |
| 抄録(英) | Cadmium Zinc telluride (CdZnTe) has been grown by remote plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition (RPE-MOCVD). Epitaxial growth of CdZnTe films were observed when associated with hydrogen radicals. The p-type CdZnTe films were obtained when a mixture of H_2 and N_2, or NH_3 gas was introduced into the plasma. After annealing at 600℃ in the ambient of nitrogen for 10 minutes, the carrier concentration and resistivity of CdZnTe films are evaluated as 1.2×10^<19>cm^<-3> and 3.7×10^<-2>Ωcm, respectively. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ励起MOCVD / CdZnTe / 窒素ラジカルドーピング / p-CdZnTe |
| キーワード(英) | Remote plasma enhanced MOCVD / CdZnTe / Nitrogen radical doping / p-CdZnTe |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CdZnTe Epitaxial Growth and Doping Method by Remote Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ励起MOCVD / Remote plasma enhanced MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | CdZnTe / CdZnTe |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素ラジカルドーピング / Nitrogen radical doping |
| キーワード(4)（和/英） | p-CdZnTe / p-CdZnTe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野田 大二 / Daiji Noda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru Aoki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro Nakanishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University:Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University:Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1998/5/22 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |