| 講演名 | 1998/5/21 光化学堆積法によるZnSの堆積 小野 雄平, 後藤 文孝, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | S_2O_3^<2->イオンとZn^<2+>イオンを含む溶液から、光化学反応のみによりZnS薄膜をガラス基板上に堆積した。試料作製溶液中のS_2O_3^<2->イオンが300nm以下の波長の紫外線を吸収し、励起されたS_2O_3^<2->イオンがS原子と金属イオンに供給することにより、照射領域のみで硫化物半導体の生成反応が起きる。堆積された薄膜中においてZnとSは結合しておらず、組成は溶液中のZn^<2+>イオンの濃度にしたがって変化した。しかし、500℃のアニールを施すことにより化学量論的組成になった。 |
| 抄録(英) | ZnS films were successfully formed on a glass substrate in an aqueous solution containing S_2O_3^<2-> and Zn^<2+> ions by photochemical reactions. S_2O_3^<2-> ions in the growth solution absorb ultra-violet light of wavelengths shorter than about 300nm, and the excited S_2O_3^<2-> ions supply sulfur atoms and electrons to the metal ions. Thus, the formation reaction of the sulfide semiconductor occurs only in the illuminated region. Zn and S do not combine each other in the deposited film. The composition of film varied with Zn^<2+> content in the solution and became stoichiometric by annealing at 500℃. |
| キーワード(和) | 水溶液 / チオ硫酸イオン / 紫外線 / 光化学反応 / ZnS |
| キーワード(英) | aqueous solution / thiosalfate ion / ultra-violet light / photochemical reaction / ZnS |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積法によるZnSの堆積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of ZnS by photochemical deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水溶液 / aqueous solution |
| キーワード(2)（和/英） | チオ硫酸イオン / thiosalfate ion |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外線 / ultra-violet light |
| キーワード(4)（和/英） | 光化学反応 / photochemical reaction |
| キーワード(5)（和/英） | ZnS / ZnS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野 雄平 / Yuhei Ono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 文孝 / Fumitaka Goto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Tecnology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 共同研究センター Center for Cooperative Research |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/5/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 63 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |