講演名 | 1998/5/21 GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長 田中 昭, 米山 剛, 八木 光賢, 木村 雅和, 助川 徳三, |
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抄録(和) | 格子整合系デバイスの開発を進めるためには任意の格子定数の実現できる混晶基板が不可欠である。ここでは均一組成のバルク混晶の成長技術として開発した溶質供給チョクラルスキー法をGa-In-Sb三元溶液系に拡張し、中間組成のGalnSb混晶の成長実験をおこなった。温度変動の混晶組成への影響を検討して設定した成長条件のもとに、InSb分率が0.6の結晶を引き上げることができた。 |
抄録(英) | In order to advance Iattice-matched devices, alloy substrates with a desired lattice constant are demanded. In this paper, the solute-feeding Czochralski method developed for the growth of homogeneous bulk alloys is applied to the growth of GaInSb alloy from Ga-In-Sb solution. By adjusting the growth condition so as to suppress the influence of thermal fluctuation on alloy composition, a GaInSb alloy with InSb content of about 0.6 was successfully pulled. |
キーワード(和) | GaInSb混晶 / チョクラルスキー法 / 溶液成長 |
キーワード(英) | GaInSb alloy / Czochralski method / solution growth |
資料番号 | |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 1998/5/21(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Growth of GaInSb Bulk Alloy from Ternary Solution |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaInSb混晶 / GaInSb alloy |
キーワード(2)(和/英) | チョクラルスキー法 / Czochralski method |
キーワード(3)(和/英) | 溶液成長 / solution growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 田中 昭 / Akira Tanaka |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 米山 剛 / Tsuyoshi Yoneyama |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 八木 光賢 / Mitsunori Yagi |
第 3 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 木村 雅和 / Masakazu Kimura |
第 4 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 助川 徳三 / Tokuzo Sukegawa |
第 5 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
発表年月日 | 1998/5/21 |
資料番号 | |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 63 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |