| 講演名 | 1998/4/23 シリコン単一電子素子における量子効果の評価 石黒 仁揮, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 単一ドットを有する単一電子デバイスとして動作するポイントコンタクト型MOSFETを試作し, 室温においてクーロンブロッケード振動を観測した。また, 低温において量子効果および共鳴トンネルによる微細構造と負の微分コンダクタンスを観測した.これらの結果からドット中の電子状態を算出した.ドットの単一電子充電エネルギーだけでなく, 量子準位間隔も室温の熱エネルギーより大きいことが明らかとなった.この結果は, 将来の極微細MOSFETあるいは単一電子デバイスの設計にあたっては, ドット中の電子状態の正確な把握とモデリングが必須であることを示している. |
| 抄録(英) | Silicon single electron transistors are fabricated in the form of point-contact MOSFET.Coulomb blockade oscillations are observed at room temperature, and fine structures and negative differential conductance due to quantum effect and resonant tunneling are observed at low temperatures.The energy states in the dot are derived from the experimental data.The single electron charging energy and energy separation between quantum levels in the dot are larger than the thermal energy at room temperature.It is suggested that the quantitative understanding of quantum effects is essential for the design of 10 nm size MOSFET and single electron devices. |
| キーワード(和) | 単一電子デバイス / MOSFET / 量子効果 / 共鳴トンネル / 量子ドット / クーロンブロッケード |
| キーワード(英) | Single electron devices / MOSFET / Quantum effects / Resonant tunnel / Quantum dot / Coulomb blockade |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/4/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン単一電子素子における量子効果の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Quantum Effect in Silicon Single Electron Transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単一電子デバイス / Single electron devices |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 量子効果 / Quantum effects |
| キーワード(4)（和/英） | 共鳴トンネル / Resonant tunnel |
| キーワード(5)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(6)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石黒 仁揮 / Hiroki Ishikuro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Institute of Industrial Science, University of Tokyo VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Institute of Industrial Science, University of Tokyo VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1998/4/23 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 30 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |