講演名 | 1993/12/9 ショットキーバリアトンネルトランジスタ(SBTT)の数値解析 服部 励治, 谷田 行庸, 白藤 純嗣, |
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抄録(和) | ショットバリアトンネルトランジスタ(SBTT)はショットキー障壁接合の逆方向トンネル電流を利用した新しい動作原理を持つトンネルトランジスタであり、高集積、コストダウンに有利な素子として期待される。本稿では、はじめにSBTTのデバイスシミュレーションに重要なショットキー接合における逆方向トンネル電流の数値解析のための物理モデルと有限差分法デバイスシミュレーターへ取り組む手法を示す。次に簡略化したデバイス構造において2次元デバイスシミュレーションを行い、SBTTのチャネル層の不純物密度、チャネル厚さ、チャネル長、ショットキー障壁高さについて限界値または最適値を示す。 |
抄録(英) | Schottky barrier tunnel transistor(SBTT)is one of the tunnel transistor.with a new operating principle which employs the tunneling current trough the Schottky barrier,and is expected to be a promising element device for high-density integrated circuits and for low-cost fabricating processes.In this paper we firstly show the physical model for numerical analysis of reverse tunneling current through the Schottky junction which are significant for SBTT device simulation,and the numerical procedure for device simulator with the finite difference method.Secondly,we carry out 2-D device simulation on the simplified structure,and show the limit and the optimized value for impurity density, channel thickness,channel length and barrier height. |
キーワード(和) | トンネルトランジスタ / ショットキー障壁 / デバイスシミュレーション / トンネル電流 |
キーワード(英) | tunnel transistor / Schottky Barrier / Device simulation / tunneling current |
資料番号 | SDM93-170 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ショットキーバリアトンネルトランジスタ(SBTT)の数値解析 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Numerical anarysis of Schottky barrier tunnel transistor(SBTT) |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | トンネルトランジスタ / tunnel transistor |
キーワード(2)(和/英) | ショットキー障壁 / Schottky Barrier |
キーワード(3)(和/英) | デバイスシミュレーション / Device simulation |
キーワード(4)(和/英) | トンネル電流 / tunneling current |
第 1 著者 氏名(和/英) | 服部 励治 / Reiji Hattori |
第 1 著者 所属(和/英) | 大阪大学工学部 Faculty of Engineering,Osaka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 谷田 行庸 / Yukinobu Tanida |
第 2 著者 所属(和/英) | 大阪大学工学部 Faculty of Engineering,Osaka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 白藤 純嗣 / Junji Shirafuji |
第 3 著者 所属(和/英) | 大阪大学工学部 Faculty of Engineering,Osaka University |
発表年月日 | 1993/12/9 |
資料番号 | SDM93-170 |
巻番号(vol) | vol.93 |
号番号(no) | 368 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |