| 講演名 | 1993/12/9 貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価 金子 圭介, 藤井 義磨郎, 宇佐美 晶, 和田 隆夫, |
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| 抄録(和) | 貼り合わせSilicon-on-Insulator(SOI)ウェーハの電気的特性評価を行なった。SOI層の厚さの異なる三種類の貼り合わせSOIウェーハ(SOI層厚10,30,100μm)について、Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)測定によりSOI層中の欠陥評価をしたところ、SOI層厚が30,100μmの貼り合わせウェーハで深い準位(Ec-Et=0.53～0.56eV)のトラップを検出した。又、SOI層上にPINホトダイオードを形成し、その素子特性測定によりSOI層の電気的評価も行なった。SOI層厚の厚いものほど暗電流が増加し、SOI層中のトラップが原因であると思われる。通常のSiウェーハ上の素子についても同時に測定し、貼り合わせSOIウェーハ上の素子との比較を行なった。 |
| 抄録(英) | We studied the electrical properties of the bonded silicon-on- insulator(SOI)wafers.We prepared three types of SOI wafers(SOI layer thicknesses w=10,30,100 μm)and a normal Si wafer.Traps were detected in the bonded SOI layers with w=30,100 μm using the deep level transient spectroscopy(DLTS)methods.We fabricated the PIN photodiodes on the SOI layers,and their device properties were measured.The reverse current increases with the SOI layer thickness.This may be due to traps in the SOI layers. |
| キーワード(和) | 貼り合わせSOIウェーハ / DLTS / DINホトダイオード / トラップ |
| キーワード(英) | Bonded SOI water / DLTS / PIN photodiode / trap |
| 資料番号 | SDM93-169 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of the bonded SOI water,and characteristics of PIN photodiodes on the SOI layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貼り合わせSOIウェーハ / Bonded SOI water |
| キーワード(2)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | DINホトダイオード / PIN photodiode |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金子 圭介 / Keisuke Kaneko |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 義磨郎 / Yoshimaro Fujii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 晶 / Akira Usami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 和田 隆夫 / Takao Wada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-169 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |