| 講演名 | 1993/12/9 Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構 前田 英史, 綿谷 仁志, 中山 弘, 西野 種夫, |
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| 抄録(和) | Si微細加工基板を用いて、MBEによるSi微細領域へのGaAs成長を試みた。フォトリソグラフィーと異方性エッチングを用いて、Si(001)基板上に{111}ファセットを側面に持つ10数μm正方の逆四角錘型ピットを配列する。このSi微細加工基板に対してMBE成長を行い、SiO_2, Siによる成長選択性、ファセットに対する成長異方性、シャドゥイングなどの効果を併せてGaAs微細構造の作製を行った。微細領域でのGaAsMBE成長において、基板上でのミクロなフラックスの挙動が成長形態に及ぼす影響を調べ、条件を最適化することで{111}ファセット上にGaAsの微細構造を成長した。さらにSi上のGaAs成長膜に対して異方性エッチング法による膜性の評価を行った。 |
| 抄録(英) | Two-dimensional array of GaAs micro structures embedded in micro anti-tetrahedron-like pits on Si(001)has been successfully formed by the use of molecular-beam epitaxy.Two dimensional array of micro facet on Si(001)substrate has been formed by using anisotropic chemical etching with the etchant of ethylenediamine, pyrocatechol aqueous solution.The micro facet was an antitetrahedron-like surrounded by four 111 planes.MBE growth of GaAs has been performed on Si substrate containing thearray of the anti-tetrahedron-like pits with micro 111 facet planes.The size and spacing have been currently determined by the limit of geometrical accuracy of conventional photolithography and subsequent chemical etching.A few microns size square GaAs with the thickness of the order of 10 nm can be easilyfabricated on micro Si facets. |
| キーワード(和) | シリコン / マイクロファセット / MBE / ヒ化ガリウム / 成長異方性 |
| キーワード(英) | GaAs / Silicon / microscopic growth / micro-facet / MBE |
| 資料番号 | SDM93-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microscopic Growth Mechanism of GaAs on Micro-Facet Silicon Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロファセット / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | MBE / microscopic growth |
| キーワード(4)（和/英） | ヒ化ガリウム / micro-facet |
| キーワード(5)（和/英） | 成長異方性 / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 英史 / Hidefumi Maeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 Division of Science Materials,The graduate School of Science and Technology,Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 綿谷 仁志 / Hitoshi Watatani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics Engineering,Faculty of Engineering,Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中山 弘 / Hiroshi Yakayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 Division of Science Materials,The graduate School of Science and Technology,Kobe University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西野 種夫 / Taneo Nishino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 Division of Science Materials,The graduate School of Science and Technology,Kobe University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-163 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |