| 講演名 | 1993/12/9 Si_<1-x>Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性 長谷川 利通, 蔵本 恭介, 王 金國, 若原 昭浩, 佐々木 昭夫, |
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| 抄録(和) | 固体源MBE装置を用いてSiGe/Si不規則超格子を初めて成長し、低温でのPLスペクトルを測定した。PL特性は、井戸層のGe組成、超格子層の平均Ge組成、井戸層・障壁層の平均層厚の等しい通常の超格子(規則超格子)と比較検討を行った。PLスペクトル形状および温度依存症には規則超格子と比較して大きな差異は見られないが、PLピーク強度の増大が観測された。これは、AlAs/GaAs、AlP/GaP不規則超格子で見られる局在効果に比べて、本研究で作製したSi_<1-x>Ge_x/Si不規則超格子では、局在効果よりはキャリアの閉込め効果によって発光が強められているためと考えられる。 |
| 抄録(英) | Si_<1-x>Ge_x/Si disordered superlattices (d-SLs) are fabricated by solid source molecular beam epitaxy for the first time. Photoluminescence (PL) characteristics of Si_<1-x>Ge_x/Si d-SL are investigated at low temperature by comparing with a conventional ordered superlattice (o-SL) which has the same macroscopic chemical composition as that of the d-SL. Strong intensity of PL peak compared with the o-SL is observed in the d-SL. Carrier confinement rather than localization effects by artificially introduced disordering enhances the luminescence process in Si_<1-x>Ge_x strained layer. |
| キーワード(和) | Si_<1-x>Ge_x/Si不規則超格子 / フォトルミネセンス / 励起子 / 局在効果 |
| キーワード(英) | Si_<1-x>Ge_x/Si disordered superlattices / photoluminescence / exciton / localization effect |
| 資料番号 | SDM93-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si_<1-x>Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence characteristics of Si_<1-x>Ge_x/Si disordered superlattices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si_<1-x>Ge_x/Si不規則超格子 / Si_<1-x>Ge_x/Si disordered superlattices |
| キーワード(2)（和/英） | フォトルミネセンス / photoluminescence |
| キーワード(3)（和/英） | 励起子 / exciton |
| キーワード(4)（和/英） | 局在効果 / localization effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長谷川 利通 / Toshimichi Hasegawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電気工学教室 Department of Electrical Engineering, Kyoro University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 蔵本 恭介 / Kyosuke Kuramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電気工学教室 Department of Electrical Engineering, Kyoro University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 王 金國 / Kam Koc Vong |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電気工学教室 Department of Electrical Engineering, Kyoro University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電気工学教室 Department of Electrical Engineering, Kyoro University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 昭夫 / Akio Sasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部電気工学教室 Department of Electrical Engineering, Kyoro University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-162 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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