| 講演名 | 1993/12/9 狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価 出木 秀典, 大村 昌伸, 宮崎 誠一, 広瀬 全孝, |
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| 抄録(和) | 水素化アモルファスシリコン(a-Si:H,50Å), a-Ge:H(10～50Å)極薄多層膜の光学的、電気的特性をa-Ge:H井戸層幅を変化させて評価した。井戸幅の減少に伴い、光学吸収端及びフォトルミネッセンススペクトルのブルーシフトと発光強度の増大が観測され、a-Ge:H井戸層における量子サイズ効果の存在が示唆された。また、サブバンドの形成による暗伝導度の減少及び活性化エネルギの増大が観測された。井戸幅10Åの場合に光学バンドギャップ～1.4eV、光伝導度～1.4×10^-5>S/cm、光電感度～1.4×10^5の材料が得られた。このことから、多層膜化によりa-SiGe:Hアロイよりも優れた光伝導度及び暗伝導度を持つ狭バンドギャップ半導体材料が作製できることを示した。 |
| 抄録(英) | The optical and electrical properties of a-Si:H(50A^^°k), a-Ge:H (10～50A^^°) ultra-thin multilayers have been investigated as a fu nction of a-Ge:H well layer width.The quantum size effect in the well layer is suggested by a blue shift of the photoluminescence peak as well as the optical absorption edge,and an increase of the luminescence intensity with a decrease of the a-Ge:H well width. Also,a decrease in the dark-conductivity and an increase in the conductivity activation energy caused by the decrease in the Well width is attributed to the subband formation.For a well width of 10A^^°,the a-Si:H/a-Ge:H multilayer exhibits an optical bandgap of ～1.4eV,a photoconductivity of ～1.4×10^-5>S/cm and the photosen sitivity of ～1.4×10^5.It is demonstrated that the a-Si:H/a-Ge:H m ultilayer has superior properties than bulk a-SiGe:H alloy. |
| キーワード(和) | 多層膜 / a-Si:H/a-Ge:H / 量子サイズ効果 / フォトルミネッセンス / 伝導度 |
| キーワード(英) | multilayer / a-Si:H/-Ge:H / quantum size effect / photoluminescence / conductivity |
| 資料番号 | SDM93-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Optical and Electrical Properties of Narrow- Bandgap a-Si:H/a-Ge:H Multilayers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多層膜 / multilayer |
| キーワード(2)（和/英） | a-Si:H/a-Ge:H / a-Si:H/-Ge:H |
| キーワード(3)（和/英） | 量子サイズ効果 / quantum size effect |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | 伝導度 / conductivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 出木 秀典 / Hidenori Deki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering,Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大村 昌伸 / Masanobu Ohmura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering,Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering,Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 広瀬 全孝 / Masataka Hirose |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Department of Electrical Engineering,Hiroshima University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-161 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |