| 講演名 | 1993/12/9 Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果 大島 隆文, 佐野 正, 山田 明, 小長井 誠, 高橋 清, |
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| 抄録(和) | 200℃以下という低温において,SiH_4,H_2のみを用いた光CVD法により,Siの低温エピタキシャル成長に成功した.また,Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2の効果,並びに成長機構について検討を行った.その結果,Hが低温エピタキシャル成長において本質的に重要な役割を担っていることが明かとなった.さらに,SiH_2Cl_2を導入することによりラマンピークの半値幅が減少し,膜中水素濃度が減少するなど,SiH_2Cl_2が低温エピタキシャルSi膜の高品質化に有効であることが明かになった.Clの関与したラジカルの働きとしては,成長表面をエッチングすることによる不鈍物や不安定に結合したSi原子の除去効果,過剰なHを成長表面から引き抜くことによる結晶核の発生の抑制などが考えられる. |
| 抄録(英) | Epitaxial Si films have been successfully grown by the mercury sensitized photo-CVD method using SiH_4, H_2 gas mixture with and without SiH_2Cl_2 at the substrate temperature lower than 200℃.The mechanism of the low-temperature Si epitaxy and the effects of SiH_2Cl_2 on the growth were studied.The obtained films were evaluated by reflection high energy electron diffraction(RHEED), infrared absorption and Raman spectroscopy.It was found from the experiments that hydrogen radicals play the most important role in the low temperature Si epitaxy and that the film quality was improved by the addition of SiH_2Cl_2.The probable effects of introducing the SiH_2Cl_2 are the etching of the growing surface by Cl-related radicals and the suppression of nuclei generation by removing the excess hydrogen atoms on the growing surface, resulting in the rigii Si network. |
| キーワード(和) | SiH_2Cl_2 / 低温エピタキシャル成長 / 光CVD |
| キーワード(英) | SiH_2Cl_2 / low-temperature Si epitaxy / photo-CVD |
| 資料番号 | SDM93-160 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of introducing SiH_2Cl_2 on low-temperature epitaxial Si growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiH_2Cl_2 / SiH_2Cl_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 低温エピタキシャル成長 / low-temperature Si epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 光CVD / photo-CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大島 隆文 / Takayuki Oshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Department of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐野 正 / Masashi Sano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所 Hitachi |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 明 / Akira Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Department of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小長井 誠 / Makoto Konagai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Department of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 清 / Kiyoshi Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部 Department of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-160 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |