講演名 1993/12/9
スパッタリング法によるSiC薄膜の生成
中村 祐一, 笹川 悟, 上村 喜一, 中尾 真人, 小沼 義治, 米久保 荘,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 耐環境性圧力センサ,TFTなどの電子デバイスへの応用を考慮して多結晶炭化珪素薄膜を得るために、カーボンとシリコンの複合ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング法により、炭化珪素薄膜を生成しその特性評価を行った。基板温度650℃以上で、化学量論的組成比に近い多結晶性炭化珪素薄膜を生成することができた。
抄録(英) Polycrystalline Silicon Carbide thin films were prepared by DC magnetron sputtering.The target was made from a carbon plate with single crystal silicon strives.Films were characterized by X-ray diffraction,XPS and Hall measurement.Diffraction peaks were observed for the films prepared at higher than 650 ′C.These films were polycrystalline SiC with almost stoichiometric composition.
キーワード(和) Sic / 多結晶炭化珪素薄膜 / スパッタリング
キーワード(英) Sic / polycrystalline thin film / sputtering
資料番号 SDM93-159
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 1993/12/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) スパッタリング法によるSiC薄膜の生成
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of Sic thin films by sputtering method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Sic / Sic
キーワード(2)(和/英) 多結晶炭化珪素薄膜 / polycrystalline thin film
キーワード(3)(和/英) スパッタリング / sputtering
第 1 著者 氏名(和/英) 中村 祐一 / Yuichi Nakamura
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子科
Department of Electrical and Electronic,Faculty of Engineering, Shinsyu University
第 2 著者 氏名(和/英) 笹川 悟 / Satoru Sasakawa
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子科
Department of Electrical and Electronic,Faculty of Engineering, Shinsyu University
第 3 著者 氏名(和/英) 上村 喜一 / Kiichi Kamimura
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子科
Department of Electrical and Electronic,Faculty of Engineering, Shinsyu University
第 4 著者 氏名(和/英) 中尾 真人 / Masato Nakao
第 4 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子科
Department of Electrical and Electronic,Faculty of Engineering, Shinsyu University
第 5 著者 氏名(和/英) 小沼 義治 / Yoshiharu Onuma
第 5 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子科
Department of Electrical and Electronic,Faculty of Engineering, Shinsyu University
第 6 著者 氏名(和/英) 米久保 荘 / Sou Yonekubo
第 6 著者 所属(和/英) 信州大学工学部電気電子科
Department of Electrical and Electronic,Faculty of Engineering, Shinsyu University
発表年月日 1993/12/9
資料番号 SDM93-159
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 368
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日