| 講演名 | 1993/12/9 CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御 吉田 博康, 冬木 隆, 松波 弘之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 異種支持基板上に堆積した薄膜結晶Siを用いた高効率太陽電池を実現するためには、多結晶Siの大粒径化が必要であり、堆積初期における核発生制御が重要になる。本研究ではSiH_2Cl_2とH_2を原料ガスに用いた減圧CVD法において、原料ガスの流量制御あるいは間欠供給を用いて、Si堆積初期過程における核発生制御を行った。またプロセス温度低温化のためにSiH_2Cl_2のプラズマによる分解を行ったところ、SiO_2上に堆積した多結晶Siは強い〈110〉配向を示すことがわかった。 |
| 抄録(英) | To realize high efficiency thin film crystalline silicon solar cell,deposition of polycrystalline silicon with large grain size on low cost substrates is necessary.Nucleation control in the beginning stage of deposition plays an important part.We carried out the deposition of polycrystalline silicon by low pressure CVD using SiH_2Cl_2, H_2gases.We have achieved nucleation control by varying the amount of SiH_2Cl_2 supply or using pulsed SiH_2Cl_2 flow.We investigated plasma decomposition of SiH_2Cl_2 in order to decrease process temperature.Polycrystalline silicon deposited on SiO_2by plasma decomposition of SiH_2Cl_2 showed strong110> preferential orientation. |
| キーワード(和) | 多結晶Si / 核発生制御 / SiH_2Cl_2 / プラズマ分解 |
| キーワード(英) | poly-Si / nucleation control / SiH_2Cl_2 / plasma decomposition |
| 資料番号 | SDM93-158 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CVD法による薄膜結晶Siの堆積における核発生制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nucleation Control in Chemical Vapor Deposition of Thin Film Crystalline Silicon |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 核発生制御 / nucleation control |
| キーワード(3)（和/英） | SiH_2Cl_2 / SiH_2Cl_2 |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ分解 / plasma decomposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 博康 / Hiroyasu Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / Hiroyuki Matsunami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学部 Faculty of Engineering,Kyoto University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-158 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |