講演名 1993/12/9
poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth
鈴見 雅彦, 曲 偉峰, 北川 章夫, 鈴木 正国,
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抄録(和) 酸素を混入したガス炎を用いてSiO_2基板上のpoly-Siの高温アニールを行った。ガス炎高温アニールによって、結晶粒径が1μmを超えるまでに増大するSecondary grain growthが観測された。本方法は、大面積の高品質poly-Siを低コストで作製する方法として期待される。
抄録(英) It was found that secondary grain growth in poly-Si films was caused by flat-flame gas anealings in which oxgen-mixed fuel gas(C6:5000kcal, m^3)was used to elevate the temperature of flames. The sample films were annealed at ~1400℃.Grains of ~100nm grew u p into large grains of ~1μm in 10min.
キーワード(和) SOI / 二次結晶成長 / 多結晶シリコン / ガス炎アニール
キーワード(英) SOI / secondary grain growth / poly-Si / gas flame annealing
資料番号 SDM93-157
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 1993/12/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth
サブタイトル(和)
タイトル(英) Secondary grain growth in poly-Si films by high temperature gas flame annealing
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SOI / SOI
キーワード(2)(和/英) 二次結晶成長 / secondary grain growth
キーワード(3)(和/英) 多結晶シリコン / poly-Si
キーワード(4)(和/英) ガス炎アニール / gas flame annealing
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴見 雅彦 / Masahiko Suzumi
第 1 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部電気情報工学科
Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 2 著者 氏名(和/英) 曲 偉峰 / Weifeng Qu
第 2 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部電気情報工学科
Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 3 著者 氏名(和/英) 北川 章夫 / Akio Kitagawa
第 3 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部電気情報工学科
Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 4 著者 氏名(和/英) 鈴木 正国 / Masakuni Suzuki
第 4 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部電気情報工学科
Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
発表年月日 1993/12/9
資料番号 SDM93-157
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 368
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日