講演名 | 1993/12/9 poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth 鈴見 雅彦, 曲 偉峰, 北川 章夫, 鈴木 正国, |
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抄録(和) | 酸素を混入したガス炎を用いてSiO_2基板上のpoly-Siの高温アニールを行った。ガス炎高温アニールによって、結晶粒径が1μmを超えるまでに増大するSecondary grain growthが観測された。本方法は、大面積の高品質poly-Siを低コストで作製する方法として期待される。 |
抄録(英) | It was found that secondary grain growth in poly-Si films was caused by flat-flame gas anealings in which oxgen-mixed fuel gas(C6:5000kcal, m^3)was used to elevate the temperature of flames. The sample films were annealed at ~1400℃.Grains of ~100nm grew u p into large grains of ~1μm in 10min. |
キーワード(和) | SOI / 二次結晶成長 / 多結晶シリコン / ガス炎アニール |
キーワード(英) | SOI / secondary grain growth / poly-Si / gas flame annealing |
資料番号 | SDM93-157 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Secondary grain growth in poly-Si films by high temperature gas flame annealing |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SOI / SOI |
キーワード(2)(和/英) | 二次結晶成長 / secondary grain growth |
キーワード(3)(和/英) | 多結晶シリコン / poly-Si |
キーワード(4)(和/英) | ガス炎アニール / gas flame annealing |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴見 雅彦 / Masahiko Suzumi |
第 1 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 曲 偉峰 / Weifeng Qu |
第 2 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 北川 章夫 / Akio Kitagawa |
第 3 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 鈴木 正国 / Masakuni Suzuki |
第 4 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
発表年月日 | 1993/12/9 |
資料番号 | SDM93-157 |
巻番号(vol) | vol.93 |
号番号(no) | 368 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |