| 講演名 | 1993/12/9 PECVD法による多結晶シリコン薄膜成長と楕円偏光分光法による評価 アハラビテヤ ジャヤティッサ, 鈴木 道夫, 中西 洋一郎, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | 陰極高周波グロー放電法によりポリシリコン薄膜を作製し,その微晶質構造をX線回折と楕円偏光分光法により評価した.堆積した薄膜の組成は出力密度0.8Wcm^-2>以上の領域と基盤温度400℃以上の領域でそれらに強く影響されることがわかった.薄膜の電気特性においても同様な傾向が見られるが,これは薄膜の結晶相の変化に対応するものと考えられる. |
| 抄録(英) | X-ray diffraction and spectroscopic ellipsometer measurements have been performed to study the microcrystalline structure of poly-Si films deposited by cathode-type rf glow discharge technique.It is found that the composition of films deposited is strongly affected by power density above 0.8 Wcm^-2> and substrate temperature above 400℃.Similar effects were consistent w ith the measured electrical properties of the films.The latter phenomena is considered to be attributed to the variation of the crystalline phase in the films. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / グロー放電 / X線回折強度 / 楕円偏光分光法 |
| キーワード(英) | glow discharge / polycrystalline silicon / XRD intensity / ellipsometer |
| 資料番号 | SDM93-156 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | PECVD法による多結晶シリコン薄膜成長と楕円偏光分光法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polycrystalline Silicon Film Growth by PECVD and Characterization by Spectroscopic Ellipsometer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / glow discharge |
| キーワード(2)（和/英） | グロー放電 / polycrystalline silicon |
| キーワード(3)（和/英） | X線回折強度 / XRD intensity |
| キーワード(4)（和/英） | 楕円偏光分光法 / ellipsometer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | アハラビテヤ ジャヤティッサ / Jayatissa Ahalapitia |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 道夫 / Michio Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | レオニクス Leonics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中西 洋一郎 / Yoichiro Nakanishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-156 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |