| 講演名 | 1993/12/9 プラズマCVDによるpoly-Si膜の低温形成過程のインプロセス偏光解析モニタリング 中島 伸二, 中山 孝文, 白藤 立, 林 康明, 橘 邦英, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 原料ガスにSiF_4とSiH_4とH_2を用いて、基板温度300℃においてプラズマCVD法で多結晶シリコンを形成し、分光偏光解析法を用いて膜質の時間的な変化をモニタリングした。SiF_4の流量比の増加に伴い、結晶シリコン成分が増加することが分かった。同時に堆積速度が減少し、表面荒れ層が増加することから、フッ素原子による非晶質シリコン成分の選択的なエッチングが行われることで結晶化が起こることが示唆された。 |
| 抄録(英) | Poly-Si thin films have been deposited by an RF plasma CVD method using SiF_4,SiH_4 and H_2 at a substrate temperature of 300℃ .Growth of the films has been monitored by spectroscopic ellipsometry,and time-resolved film compositions have been investigated.The films deposited with SiH_4 diluted with H_2 showed 50% of c-Si fraction,and it increased with addition of SiF_ 4.At the same time,deposition rate decreased,and surface roughness increased.These results suggest that preferential etching of a-Si brings about increase of c-Si fraction. |
| キーワード(和) | 分光偏光解析 / poly-Si / エッチング |
| キーワード(英) | spectroscopic ellipsomemetry / poly-Si / (preferential etching) |
| 資料番号 | SDM93-155 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマCVDによるpoly-Si膜の低温形成過程のインプロセス偏光解析モニタリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-Situ Ellipsometric Monitoring For the Growth of poly-Si Thin Films by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分光偏光解析 / spectroscopic ellipsomemetry |
| キーワード(2)（和/英） | poly-Si / poly-Si |
| キーワード(3)（和/英） | エッチング / (preferential etching) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 伸二 / Shinji Nakajima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science,Faculty of Engineering and Design,Kyoto Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 孝文 / Takafumi Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science,Faculty of Engineering and Design,Kyoto Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白藤 立 / Tatsuru Shirafuji |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science,Faculty of Engineering and Design,Kyoto Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林 康明 / Yasuaki Hayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science,Faculty of Engineering and Design,Kyoto Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 橘 邦英 / Kunihide Tachibana |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科 Department of Electronics and Information Science,Faculty of Engineering and Design,Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-155 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |