| 講演名 | 1993/12/9 a-SiNx:Hのアニールによるフォトルミネセンスと膜構造への影響 牧村 紳司, 脇田 和樹, 中山 喜萬, |
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| 抄録(和) | シランとアンモニアのグロー放電分解により成膜した水素化非晶質シリコン窒化膜のアニール実験を行い、フォトルミネセンス(PL)特性の変化を調べた。アニールによりPLピークエネルギーはシフトする。その方向はアズーデポジション膜のPLピークエネルギーに依存し、光学的バンドギャップの変化に対応している。800℃アニールにより、膜中の水素結合量が減少し、Si-N結合量が増加した。成膜時のガス流量比が低い場合(NH_3, SiH_4=5)はSi-Si相は結晶化せず結合量が増加し、高ガス流量比領域ではSi-Si結合量は減少すると考えられる。PLピークエネルギーのシフトはSi-Si結合量の変化により決定される。 |
| 抄録(英) | Effect of annealing on photoluminescence(PL)spectra in hydrogenated amorphous silicon nitride films deposited by glow- discharge decomposition of silane and ammonia has been investigated.The PL-peak shifts due to annealing and its direction depends on the PL-peak energy in as-deposited films and corresponds to change of the optical band gap.Annealing at 800℃ ca uses a decrease in hydrogen contents and an increase in Si-N bondings.It is believed that due to annealing Si-Si phase does not crystallize and Si-Si bondings increase at the low gas ratio(NH_3, SiH_4 =5),whereas Si-Si bondings decrease in the high gas ratio. The shifts of the PL-peak energy are dominated by the change of Si- Si bondings. |
| キーワード(和) | 非晶質シリコン窒化膜 / アニール / フォトルミネセンス / 構造特性 |
| キーワード(英) | amorphous silicon nitride / annealing / photoluminescence / structual property |
| 資料番号 | SDM93-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | a-SiNx:Hのアニールによるフォトルミネセンスと膜構造への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of annealing on Photoluminescence spectra and structure of a-SiNx:H Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非晶質シリコン窒化膜 / amorphous silicon nitride |
| キーワード(2)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(3)（和/英） | フォトルミネセンス / photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 構造特性 / structual property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧村 紳司 / Shinji Makimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学工学部電子物理工学科 Physics and Electronics,College of Engineering,University of Osaka Prefecture |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 脇田 和樹 / Kazuki Wakita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学工学部電子物理工学科 Physics and Electronics,College of Engineering,University of Osaka Prefecture |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中山 喜萬 / Yoshikazu Nakayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学工学部電子物理工学科 Physics and Electronics,College of Engineering,University of Osaka Prefecture |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-154 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |