| 講演名 | 1993/12/9 急速加熱されるa-Siの過渡的状態図 北川 章夫, 鈴木 正國, 黄 林, |
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| 抄録(和) | アモルファス・シリコンの等温熱処理において観測される、結晶核発生の潜伏時間のデータを用いて昇温過程における結晶化温度を推定した。さらに、昇温レート対結晶化温度のグラフに結晶の融点およびアモルファス・シリコンの過冷却溶融温度を記入した過渡的状態図を作成した。この図に基づいて、金属および半導体過冷却液体の出現条件とガラス転移について考察した。 |
| 抄録(英) | In the phase transition involvmg non-equilibrium phases,the transition temperature is a function of the heating or cooling rate.The heating rate dependent transition temperature was calailated numerically from the temperature dependence of the incubation period for nucleation of the new phase.In addition,a model of the glass transition in a-Si was developed.The results are summarized in ′Transient Phase Diagram′ that is,a phase diagr am describing transient phase and their transition temperatures as a function of the heafang rate. |
| キーワード(和) | 非晶質シリコン / SOI / 結晶化温度 / 潜伏時間 / 過冷却液体 / ガラス転移 |
| キーワード(英) | amorphous silicon / crystallization / incubation period / supercooled liquid / glass transition |
| 資料番号 | SDM93-153 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 急速加熱されるa-Siの過渡的状態図 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transient Phase Diagram for a-Si in Rapid Thermal Processes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非晶質シリコン / amorphous silicon |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶化温度 / incubation period |
| キーワード(4)（和/英） | 潜伏時間 / supercooled liquid |
| キーワード(5)（和/英） | 過冷却液体 / glass transition |
| キーワード(6)（和/英） | ガラス転移 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 北川 章夫 / Akio Kitagawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正國 / Masakuni Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黄 林 / Lin Huang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部電気情報工学科 Department of Electrical & Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
| 発表年月日 | 1993/12/9 |
| 資料番号 | SDM93-153 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 368 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |