| 講演名 | 1993/11/26 64K×16/18ビット3.3v Bi-CMOS高速SRAM 近藤 賢司, 小室 敏雄, 副田 正一, 山崎 靖, 高橋 博行, 浅野 伸太郎, 前田 啓太, 越後谷 研一, 渡会 保, 山上 実, |
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| 抄録(和) | 64Kw×16bitと64Kw×18bitの2つのビット構成にメタルマスクオプションで対応可能な1M BiCMOS高速SRAMを開発した。3.3V±0.3Vの電源電圧範囲で動作周波数100MHzを達成した。チップサイズは6.2mm×12.02mm、メモリセルは3.2μm×5.8μmである。高速アクセス時間を達成するため、カスコード型センス回路のリードデータバスの寄生抵抗・容量の削減と、内部制御信号配線及びその駆動素子配置の最適化を行った。 |
| 抄録(英) | We have developed a 64Kw x 16b , metal mask programmable.Die size is 6.2mm x 12.02mm,Memory cell size is 3.2μ m x 5.8μ m. The operation frequency is 100MHz for a 3.3V± 0.3V Supply Voltag e.In order to achieve such highspeed access time,we reduced parasitic resistance and capacitance for the read-data-bus and optimized the inner control signal line and driver layout. |
| キーワード(和) | スタティックメモリ / バイーCMOS / 高速メモリ / ワードワイド / 低電圧動作 |
| キーワード(英) | SRAM / Bi-CMOS / Highspeed Memory / wordwide / Low voltage |
| 資料番号 | SDM93-150,ICD93-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/11/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 64K×16/18ビット3.3v Bi-CMOS高速SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 64K×16/18bit 3.3v Bi-CMOS Fast SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スタティックメモリ / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | バイーCMOS / Bi-CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | 高速メモリ / Highspeed Memory |
| キーワード(4)（和/英） | ワードワイド / wordwide |
| キーワード(5)（和/英） | 低電圧動作 / Low voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 賢司 / Kenji Kondou |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気メモリ事業部第二設計部 2nd design department LSI Memory division |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小室 敏雄 / Tosio Komuro |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気メモリ事業部第1デバイス設計部 1st device design department LSI Memory division |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 副田 正一 / Masakazu Soeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気メモリ事業部第二設計部 2nd design department LSI Memory division |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山崎 靖 / Yasusi Yamasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気メモリ事業部第1デバイス設計部 1st device design department LSI Memory division |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 博行 / Hiroyuki Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州日本電気 NEC Kyushu Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浅野 伸太郎 / Sintaroh Asano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NECアイシーマイコンシステム NEC IC Mycrocomputer Systems |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 前田 啓太 / Keita Maeda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NECアイシーマイコンシステム NEC IC Mycrocomputer Systems |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 越後谷 研一 / Keniti Etigoya |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NECアイシーマイコンシステム NEC IC Mycrocomputer Systems |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 渡会 保 / Tamotu Watarai |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NECアイシーマイコンシステム NEC IC Mycrocomputer Systems |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山上 実 / Minoru Yamagami |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NECアイシーマイコンシステム NEC IC Mycrocomputer Systems |
| 発表年月日 | 1993/11/26 |
| 資料番号 | SDM93-150,ICD93-144 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 349 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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