| 講演名 | 1993/5/28 スマートイメージセンサ用PROMの検討 秋元 肇 /, |
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| 抄録(和) | MOS型スマートイメージセンサにおける欠陥補正をオンチップで実現するために、新しいPROMの記憶原理を提案し試作評価を行なった。本PROMはホットキャリア注入に起因する、nMOSトランジスタ酸化膜の電子トラップ増加現象を記憶原理に用いた。これにより標準CMOSプロセスで製作可能であること、紫外光に対しても記憶が消去されないこと、データ保持用の電源が不要であること、等の本記憶素子に必要な特徴を実現することができた。メモリセルにおける検出感度の向上により、PROMへの書き込み時間は8秒程度とすることができた。これはイメージセンサの欠陥位置記憶に用いるPROMとしては、十分な特性である。 |
| 抄録(英) | A principle and evaluated results of a PROM which will be used in an MOS-type smart image sensor are described.The PROM utilizes a gm-degradation phenomenon caused by hot-carrier injection as its principle.The principle gives it the following necessary features. The PROM can be processed in a standard CMOS-process.The PROM keeps data without power supply even under UV-light exposure.Owing to a high gain memory cell structure,only 8 seconds is enough for its writing period.It is an enough performance for its application in a smart image sensor |
| キーワード(和) | イメージセンサ / 欠陥補正 / プログラマブルメモリ / ホットキャリア / 電子トラップ |
| キーワード(英) | Image sensor / Error-correction / PROM / Hot-carrier / Electron-trap |
| 資料番号 | SDM93-22,ICD93-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/5/28(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スマートイメージセンサ用PROMの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of a PROM used in a smart image sensor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イメージセンサ / Image sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 欠陥補正 / Error-correction |
| キーワード(3)（和/英） | プログラマブルメモリ / PROM |
| キーワード(4)（和/英） | ホットキャリア / Hot-carrier |
| キーワード(5)（和/英） | 電子トラップ / Electron-trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 秋元 肇 / / Hajime Akimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 / Central Research Laboratory,Hitachi |
| 発表年月日 | 1993/5/28 |
| 資料番号 | SDM93-22,ICD93-24 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 74 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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