| 講演名 | 1993/10/29 NH_3添加H_2O/TEOSプラズマCVDによる層間絶縁膜形成 佐藤 淳一, 室山 雅和, 川島 淳志, 鬼頭 英至, |
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| 抄録(和) | 多層配線が超LSIの製造に益々重要になり、良いギォプフィル特性を持った、層間絶縁膜の形成が要求されている。この点に鑑み、H_2Oとテトラエトキシシラン(TEOS)を用いたプラズマCVD法による絶縁膜が流動性を持つため、次世代の超LSIデバイスの層間膜として提案されている。しかし、この方法で作成した膜は膜中に有機成分が多いという問題がある。本報告では良好なギャップフィル特性を有し、かつ良い膜質も得られる新しいプラズマCVD法を提案する。この方法はアンモニアを触媒として添加することでエトキシ基の脱離を促進し、有機成分を抵減することができる方法である。 |
| 抄録(英) | Multi-level metallization is increasingly important for ULSI fabrication and good gap-filling capability is required for dielectric films.Plasma-enhanced CVD using H_2O and tetraethoxysilane(TEOS)has been proposed for interlayer-metal dielectric gap filling in advanced ULSI device,because of its self- planarization characteristic.However,there still remain some problems,because film made using plasma CVD contains organic components which must be reduced to improve film quality.In this paper,to satisfy both the gap-filling capability and good film quality,a new CVD method using NH_3 as a catalyst is proposed.NH_3 as a catalyst accelerates the elimination of its ethoxy group and reduces the organic component. |
| キーワード(和) | 層間絶縁膜 / SiO / プラズマCVD / TEOS / アンモニア / ギャップフィル |
| キーワード(英) | dielectric film / SiO / TEOS / Plasma-enhanced CVD / NH_3 / Gap-filling |
| 資料番号 | SDM93-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/10/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NH_3添加H_2O/TEOSプラズマCVDによる層間絶縁膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of interlayer dielectric films by NH_3 added H_2O/TEOS plasma CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 層間絶縁膜 / dielectric film |
| キーワード(2)（和/英） | SiO / SiO |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマCVD / TEOS |
| キーワード(4)（和/英） | TEOS / Plasma-enhanced CVD |
| キーワード(5)（和/英） | アンモニア / NH_3 |
| キーワード(6)（和/英） | ギャップフィル / Gap-filling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 淳一 / Jun'ichi Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories,Sony |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 室山 雅和 / Masakazu Muroyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories,Sony |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川島 淳志 / Atsushi Kawashima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories,Sony |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鬼頭 英至 / Hideyuki Kito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー超LSI研究所 ULSI R&D Laboratories,Sony |
| 発表年月日 | 1993/10/29 |
| 資料番号 | SDM93-124 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 301 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |